[发明专利]一种新型背腐蚀刻边工艺在审
| 申请号： | 201810347358.X | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108711583A | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 黄镇 | 申请（专利权）人： | 中建材浚鑫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 腐蚀 刻边 硅片 减反射膜 烧结 太阳能电池技术 等离子体增强 烧结温度控制 气相沉积法 分类检测 硅片表面 化学原料 丝网印刷 陷光性能 凹坑状 不均匀 金属化 破片率 烧结炉 预清洗 沉积 多晶 放入 绒面 酸液 制绒 背面 电池 测试 扩散 | ||
1.一种新型背腐蚀刻边工艺，其特征在于：该新型背腐蚀刻边工艺包括如下步骤：
S1：制绒：对晶硅片表面进行预清洗并干燥，然后采用酸液对晶硅片进行腐蚀，将多晶表面做成凹坑状，得到陷光性能良好的绒面；
S2：扩散：将磷化物掺入晶硅片的表面，并使得磷原子扩散；
S3：背腐蚀：让扩散后的晶硅片带有PN结的那一面朝上，通过滚轮带混合酸的方式去除扩散后晶硅片周边的PN结；
S4：镀减反射膜：在晶硅片的表面采用等离子体增强化学的气相沉积法沉积减反射膜；
S5：丝网印刷金属化：用丝网印刷的方法在晶硅片的背面和正面印上背电极、背电场、正电极，形成有效的点成和引出电极；
S6：烧结：把晶硅片放入烧结炉中，烧结温度控制在300-900摄氏度，烧结时间为58-62秒；
S7：分类检测、测试、包装。
2.根据权利要求1所述的一种新型背腐蚀刻边工艺，其特征在于：所述步骤S1中的酸液为硝酸、氢氟酸、硫酸和水的混合液。
3.根据权利要求1所述的一种新型背腐蚀刻边工艺，其特征在于：所述步骤S2中的磷化物为三氯氧磷。
4.根据权利要求1所述的一种新型背腐蚀刻边工艺，其特征在于：所述步骤S3中的混合酸包括氢氟酸、硝酸和添加剂。
5.根据权利要求1所述的一种新型背腐蚀刻边工艺，其特征在于：所述步骤S4中的沉积减反射膜的具体方法为：将经过晶硅片置于石墨舟中，在450-500摄氏度下、含有硅烷与氨气的混合气体氛围中进行沉积减反射膜。
6.根据权利要求1所述的一种新型背腐蚀刻边工艺，其特征在于：所述步骤S6中的烧结方法为，采用缓慢升温的方式进行烧结，且升温速率为8-10摄氏度/秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
