[发明专利]三内串式金属化薄膜

说明书

本发明一种三内串式金属化薄膜，其特征在于包括基膜(1)、通过蒸镀技术在基膜(1)蒸镀面形成3条宽金属镀层带(5)，所述3条宽金属镀层带(5)间由4条空白隔离带(4)隔离；经分切机沿中间宽金属镀层带(5)中轴分切后形成第一金属化薄膜(2)、第二金属化薄膜(3)；所述第一金属化薄膜(2)包含2条空白隔离带(4)、1条宽金属镀层带(5)以及第一窄金属镀层带(22)，所述第二金属化薄膜(3)包含2条空白隔离带(4)、1条宽金属镀层带(5)以及第二窄金属镀层带(32)。采用本发明制造的缓冲电容器，内部自感及等效串联电阻低、质量稳定，且造价低。

技术领域

本发明涉及薄膜电容器生产制造用金属化薄膜材料，特别是涉及一种三内串式金属化薄膜。

背景技术

薄膜电容器因其具有良好的耐压性和自愈性得到广泛应用，金属化薄膜是薄膜电容器生产制造的重要材料，将高纯度金属（如AL，ZN）在高真空状态下熔化、蒸发、沉淀到介质基膜上，在介质基膜表面形成一层极薄的金属镀层后的薄膜就是金属化薄膜；在电力电子功率器件的应用电路中，无一例外地都要设置缓冲电路，即吸收电路，缓冲电容可以有效的吸收来自晶体管(IGBT)内部的寄生电感在高速关断时刻释放出极高的尖峰电压脉冲，缓冲电容损坏会导致应用电路中损坏；常规的两层单面金属化薄膜电容器性能较差，无法承受尖峰电压脉冲造成的损伤，现有的技术方案是：采用两层单面金属化薄膜卷绕的三个独立芯子，通过连接线在外部进行串联；虽然能够适应该场合，但是存在不足：1.无法降低电容器内部自感及等效串联电阻；2. 焊点多且易出线隐患，从而带来质量不稳定；3.体积相对较大、浪费材料、使成本升高。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术中存在的不足，提供一种三内串式金属化薄膜，且采用其制造的缓冲电容器，内部自感及等效串联电阻低、质量稳定，且造价低。

技术方案：

为实现上述目的，本发明采用了以下技术方案：一种三内串式金属化薄膜，包括基膜、通过蒸镀技术在基膜蒸镀面形成3条宽金属镀层带，所述3条宽金属镀层带间由4条空白隔离带隔离；经分切机沿中间宽金属镀层带中轴分切后形成第一金属化薄膜、第二金属化薄膜；所述第一金属化薄膜包含2条空白隔离带、1条宽金属镀层带以及第一窄金属镀层带，所述第二金属化薄膜包含2条空白隔离带、1条宽金属镀层带以及第二窄金属镀层带。

进一步的，所述第一金属化薄膜以及第二金属化薄膜须配对使用。

进一步的，所述第一窄金属镀层带与第二窄金属镀层带宽度相等。

进一步的，所述空白隔离带可取代传统的空白留边带。

优选的，所述空白隔离带宽度为2mm左右，可确保三等效电容器间不发生短路。

本发明与现有技术相比，具有以下优点：

1.等效电容器间无喷金层，且交错排列，降低了电容器内部自感及等效串联电阻。

2.由金属化薄膜金属镀层电连接等效电容，焊点减少从而质量稳定。

3.整体电容由三只等效电容内部串联而成，结构紧凑体积相对减小、使成本降低。

附图说明

图1为本发明平面图。

图2为本发明剖面图。

图3为本发明卷绕电容器剖面示意图。

图4为本发明等效三电容器（C1、C2、C3）串联示意图。

图5为本发明卷绕的电容器芯子局部平面展开示意图。

图中，1基膜，2第一金属化薄膜，3第二金属化薄膜，4空白隔离带，5宽金属镀层带，6电容器芯子，22第一窄金属镀层带，32第二窄金属镀层带。

具体实施方式