[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 201810347184.7 | 申请日: | 2018-04-18 |
| 公开(公告)号: | CN109411508A | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
| 发明(设计)人: | 金光民;郭源奎;文重守;李知恩 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/423 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;程月 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 显示装置 外围区域 显示区域 显示图像 栅电极 基底 像素 彼此分开 测试像素 电连接 布线 桥接 外部 | ||
提供了一种显示装置。所述显示装置包括:基底,包括具有显示图像的像素的显示区域和不显示图像的外围区域,外围区域设置在显示区域的外部。在外围区域中,所述显示装置还包括:多个薄膜晶体管,连接到像素并且利用所述多个薄膜晶体管测试像素的操作,所述多个薄膜晶体管包括在基底上彼此分开布置的栅电极;以及桥接布线,将所述多个薄膜晶体管的相邻的栅电极彼此电连接。
本申请要求于2017年8月17日提交的第10-2017-0104143号韩国专利申请的优先权以及由此获得的所有权益,该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种可以在制造工艺期间使电路中的缺陷的发生最小化的显示装置。
背景技术
通常,显示装置包括显示区域,并且多个像素布置在显示区域内。当显示装置的电路中发生缺陷时,通过显示装置在像素处产生的图像的质量会劣化。因此,期望在制造工艺期间使电路中的缺陷的发生最小化或使电路的缺陷发生率最小化。
然而,在根据现有技术的显示装置及其制造方法的情况下,在制造工艺期间电路中会发生相对大量的缺陷。
发明内容
一个或更多个实施例包括可以在制造工艺期间使电路中的缺陷的发生最小化的显示装置。
根据一个或更多个实施例,显示装置包括:基底,包括具有显示图像的像素的显示区域和不显示图像的外围区域,外围区域设置在显示区域的外部;并且在外围区域中,所述显示装置还包括:多个薄膜晶体管,电连接到显示区域中的像素并且利用所述多个薄膜晶体管测试像素的操作,所述多个薄膜晶体管包括在基底上彼此分开布置的栅电极;以及桥接布线,将所述多个薄膜晶体管的相邻的栅电极彼此电连接。
所述多个薄膜晶体管中的每个可以包括源电极和漏电极,桥接布线可以包括与源电极和漏电极的材料相同的材料。
所述多个薄膜晶体管中的每个可以包括源电极和漏电极,桥接布线可以与源电极和漏电极位于同一层中。
栅电极和桥接布线可以布置在沿一个方向延伸的虚拟线上。
桥接布线可以是形成为一体的导电层,并将至少三个顺序的薄膜晶体管的至少三个栅电极彼此连接。
所述至少三个薄膜晶体管的所述至少三个栅电极和形成为一体的导电层可以布置在沿一个方向延伸的虚拟线上。
所述显示装置还可以包括位于所述多个薄膜晶体管的栅电极与桥接布线之间的绝缘层,桥接布线可以通过位于绝缘层中的接触孔来接触栅电极。
所述显示装置还可以包括设置在显示区域中并电连接到像素的多条数据线,所述多条数据线从显示区域延伸到外围区域,所述多个薄膜晶体管中的每个可以电连接到所述多条数据线中的相应的数据线。
所述多个薄膜晶体管中的每个可以包括源电极和漏电极,从显示区域延伸到外围区域的所述多条数据线可以包括与源电极和漏电极的材料相同的材料。
所述多个薄膜晶体管中的每个可以包括源电极和漏电极,所述多条数据线可以包括与所述多个薄膜晶体管的源电极和漏电极的材料相同的材料。
所述显示装置还可以包括将所述多条数据线连接到所述多个薄膜晶体管中的相应的薄膜晶体管的连接布线。
连接布线可以包括与栅电极的材料相同的材料。
连接布线可以与所述多个薄膜晶体管的栅电极布置在同一层中。
所述显示装置还可以包括多个输出垫,所述多个输出垫中的每个输出垫位于连接布线中的相应的连接布线之上并与连接布线中的相应的连接布线接触。
所述多个输出垫可以包括与所述多个薄膜晶体管的源电极和漏电极的材料相同的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





