[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 201810347184.7 | 申请日: | 2018-04-18 |
| 公开(公告)号: | CN109411508A | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
| 发明(设计)人: | 金光民;郭源奎;文重守;李知恩 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/423 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;程月 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 显示装置 外围区域 显示区域 显示图像 栅电极 基底 像素 彼此分开 测试像素 电连接 布线 桥接 外部 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括具有显示图像的像素的显示区域和不显示所述图像的外围区域,所述外围区域设置在所述显示区域的外部;并且
在所述外围区域中,所述显示装置还包括:多个薄膜晶体管,电连接到所述显示区域中的所述像素并且利用所述多个薄膜晶体管测试所述像素的操作,所述多个薄膜晶体管包括在所述基底上彼此分开布置的栅电极;以及桥接布线,将所述多个薄膜晶体管的相邻的栅电极彼此电连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管包括源电极和漏电极,以及
所述桥接布线包括与所述多个薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极的材料相同的材料。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管包括源电极和漏电极,以及
所述桥接布线与所述多个薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极位于同一层中。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个薄膜晶体管的所述栅电极和所述桥接布线布置在沿一个方向延伸的虚拟线上。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述桥接布线是形成为一体的导电层,并将至少三个顺序布置的薄膜晶体管的至少三个栅电极彼此连接。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述至少三个薄膜晶体管的所述至少三个栅电极和形成为一体的所述导电层布置在沿一个方向延伸的虚拟线上。
7.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括位于所述多个薄膜晶体管的所述栅电极与所述桥接布线之间的绝缘层,
其中,所述桥接布线通过位于所述绝缘层中的接触孔来接触所述栅电极。
8.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括设置在所述显示区域中并电连接到所述像素的多条数据线,所述多条数据线从所述显示区域延伸到所述外围区域,
其中,所述多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管电连接到所述多条数据线中的相应的数据线。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,
所述多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管包括源电极和漏电极,以及
所述多条数据线包括与所述多个薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极的材料相同的材料。
10.根据权利要求9所述的显示装置,所述显示装置还包括连接布线,所述连接布线将所述多条数据线连接到所述多个薄膜晶体管中的相应的薄膜晶体管。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述连接布线包括与所述多个薄膜晶体管的所述栅电极的材料相同的材料。
12.根据权利要求11所述的显示装置,所述显示装置还包括多个输出垫,所述多个输出垫中的每个输出垫位于所述连接布线中的相应的连接布线之上并与所述连接布线中的所述相应的连接布线接触。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述多个输出垫包括与所述多个薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极的材料相同的材料。
14.根据权利要求12所述的显示装置,所述显示装置还包括多个输入垫,所述多个输入垫布置在所述多个薄膜晶体管的一侧处,所述一侧与布置有所述多个输出垫的一侧相对。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述多个输入垫包括与所述多个薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极的材料相同的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





