[发明专利]磁振效应印迹传感器

权利要求书

1.磁振效应印迹传感器，其特征在于：包括壳体（1），所述壳体（1）的一端设置有数据输出端口（2），现场通信总线通过所述数据输出端口（2）与中央控制器（3）相连；

所述中央控制器（3）设置在壳体（1）的一侧，所述壳体（1）的另一侧设置有磁铁条（4），所述中央控制器（3）与磁铁条（4）之间平行设置有一对传感模块，包括第一磁弹性离子印迹传感模块（5）和第二磁弹性离子印迹传感模块（6）；

所述第一磁弹性离子印迹传感模块（5）的上方还设置有第一线圈（7），所述第二磁弹性离子印迹传感模块（6）的上方还设置有第二线圈（8）；

所述第一磁弹性离子印迹传感模块（5）包括第一波形发生模块（9）和第一信号放大模块（10），所述第一波形发生模块（9）通过第一线圈（7）与第一信号放大模块（10）相连；

所述第二磁弹性离子印迹传感模块（6）包括第二波形发生模块（11）和第二信号放大模块（12），所述第二波形发生模块（11）通过第二线圈（8）与第二信号放大模块（12）相连；

所述第一信号放大模块（10）和第二信号放大模块（12）的信号输出端与中央控制器（3）相连，所述中央控制器（3）的信号输出端与监控计算机（13）相连。

2.根据权利要求1所述的磁振效应印迹传感器，其特征在于：所述第一波形发生模块（9）使用的芯片为波形发生芯片U1；

所述第一波形发生模块（9）的电路结构为：

所述波形发生芯片U1的1脚串接电容C7后与5V输入电源相连；

所述波形发生芯片U1的2脚并接电容C3的一端，有极电容C1的正极后与5V输入电源相连，所述电容C3的另一端、有极电容C1的负极相互连接后接地；

所述波形发生芯片U1的3脚并接电容C9的一端后与有极电容C11的正极相连，所述波形发生芯片U1的4脚并接电容C9的另一端、有极电容C11的负极后接地；

所述波形发生芯片U1的5脚接串行时钟；

所述波形发生芯片U1的9脚接地；

所述波形发生芯片U1的10脚与第一线圈（7）的输入端相连；

所述第二波形发生模块（11）使用的芯片为波形发生芯片U2；

所述第二波形发生模块（11）的电路结构为：

所述波形发生芯片U2的1脚串接电容C8后与5V输入电源相连；

所述波形发生芯片U2的2脚并接电容C4的一端，有极电容C2的正极后与5V输入电源相连，所述电容C4的另一端、有极电容C2的负极相互连接后接地；

所述波形发生芯片U2的3脚并接电容C10的一端后与有极电容C12的正极相连，所述波形发生芯片U2的4脚并接电容C10的另一端、有极电容C12的负极后接地；

所述波形发生芯片U2的5脚接串行时钟；

所述波形发生芯片U2的9脚接地；

所述波形发生芯片U2的10脚与第二线圈（8）的输入端相连。