[发明专利]一种高透过率的彩膜基板及液晶显示模组

说明书

本发明公开了一种高透过率的彩膜基板及液晶显示模组，其中彩膜基板包括衬底基板和设置在衬底基板上的若干像素点以及与所述像素点对应的BM区，所述衬底基板的上方还设有屏蔽膜，所述屏蔽膜形成在BM区。实施本发明能够提高液晶显示模组的透过率；能够减少点银浆的工艺，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及显示屏领域，更具体地涉及一种高透过率的彩膜基板及液晶显示模组。

背景技术

在TFT-LCD液晶显示模组（也就是液晶显示装置中的液晶显示面板，包括从下往上层叠设置的TFT基板和彩膜基板，两基板中间有液晶分子）的生产过程中，一般彩膜基板包括衬底基板、衬底基板上形成有BM区（黑色矩阵区域）和BM区内的像素点，通常还需要在彩膜基板的衬底基板的上表面镀一层屏蔽（shielding）膜，常用的材料是透明导电的ITO（铟锡氧化物）。这层膜用来屏蔽静电的干扰、以及降低TFT-LCD对其他电子器件（如触摸屏）的干扰。但是镀完膜后，整个TFT-LCD液晶显示模组的透过率会降低，从而影响显示效果。

发明内容

为了解决所述现有技术的不足，本发明提供了一种高透过率的彩膜基板及液晶显示模组。

本发明所要达到的技术效果通过以下方案实现：一种高透过率的彩膜基板，包括衬底基板和设置在衬底基板上的若干像素点以及与所述像素点对应的BM区，所述衬底基板的上方还设有屏蔽膜，所述屏蔽膜形成在BM区。

优选地，所述屏蔽膜包括透明导电的铟锡氧化物。

优选地，所述BM区为盖住所述像素点的TR位置和电路走线的区域。

优选地，所述电路走线包括Source走线、Gate走线和/或Vcom走线。

优选地，所述屏蔽膜的厚度d与液晶显示模组的产品类别对应。

优选地，所述屏蔽膜的厚度d的计算公式为d=ρ*L/（R*W），其中ρ为所述屏蔽膜材质的电阻率，W为所述屏蔽膜的宽度，L为所述屏蔽膜的长度，R 为所述液晶显示模组的产品的目标电阻值。

优选地，所述液晶显示模组的产品包括IPS类产品，其对应所述R的取值范围为500-2KΩ。

优选地，所述液晶显示模组的产品包括INcell类产品，其对应所述R的取值范围为10⁸-10¹⁰Ω。

本发明还构造一种液晶显示模组，包括上述所述的高透过率的彩膜基板。

本发明具有以下优点：

1.能够提高液晶显示模组的透过率；

2.能够减少点银浆的工艺，降低生产成本。

附图说明

图1为本发明一种高透过率的彩膜基板的一实施例局部结构示意图；

图2为本发明一种高透过率的彩膜基板的另一实施例局部结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。