[发明专利]正型抗蚀剂膜层合体和图案形成方法

说明书

本发明为正型抗蚀剂膜层合体和图案形成方法。提供了包括热塑性膜和正型抗蚀剂膜的层合体，所述正型抗蚀剂膜包括(A)酚醛清漆树脂‑萘醌二叠氮化物(NQD)系树脂组合物，(B)聚酯和(C)3‑30重量％的有机溶剂。可以将所述抗蚀剂膜转印至有阶梯的支持体而不形成空隙。

相关申请的交叉引用

本非临时申请在美国法典第35卷第119节(a)款下要求在2017年4月17日于日本提交的第2017-081039号专利申请的优先权，所述专利申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及酚醛清漆树脂-萘醌二叠氮化物(NQD)系正型抗蚀剂膜层合体和图案形成方法.

背景技术

随着高级半导体制造工艺使用大尺寸的衬底，考虑在烘箱中的衬底的热处理。在所述趋势下，有人指出问题如下：化学增幅正型抗蚀剂材料由于烘箱内的改变的温度的影响而经历图案特征尺寸的显著变化。酚醛清漆树脂-NQD系正型抗蚀剂材料因为它们对温度变化相对不敏感而变得有吸引力。

在半导体制造工艺中，通常将抗蚀剂材料用于在支持体如膜、片材、金属衬底或陶瓷衬底上形成抗蚀剂膜。因为支持体的表面已由于电路形成而形成阶梯，所以要求用于半导体制造工艺的后面的步骤中的抗蚀剂材料在有阶梯的表面上形成不含空隙或缺陷的均匀的涂层。当将液体抗蚀剂材料涂布至支持体的有阶梯的或不均一的表面上时，难于形成均匀厚度的涂层。接近阶梯处易于形成空隙。液体抗蚀剂材料难于满足要求，而抗蚀剂膜对于所述目的是足够的。

仅一些文献涉及正型抗蚀剂膜。专利文献1公开了干膜抗蚀剂，其主要是为了浮渣控制，但是不足以抑制有阶梯的支持体上的空隙形成。因为干膜抗蚀剂缺乏柔性，所以其不能完全吻合支持体表面上的阶梯。强烈渴望在转印至有阶梯的支持体时消除空隙形成的正型抗蚀剂膜层合体。

引用列表

专利文献1：WO 2005/036268

发明内容

本发明的目的在于提供保证将正型抗蚀剂膜转印至有阶梯的支持体而不形成空隙的正型抗蚀剂膜层合体，和图案形成方法。

本发明人已发现，上述和其它目的通过包括热塑性膜和在其上的酚醛清漆树脂-NQD系正型抗蚀剂膜的正型抗蚀剂膜层合体得以实现。

在一个方面，本发明提供了正型抗蚀剂膜层合体，其包括作为第一支持体的热塑性膜和在其上的酚醛清漆树脂-萘醌二叠氮化物(NQD)系正型抗蚀剂膜。酚醛清漆树脂-NQD系正型抗蚀剂膜包括(A)酚醛清漆树脂-NQD系树脂组合物，(B)聚酯和(C)3至30重量％的有机溶剂，所述酚醛清漆树脂-NQD系树脂组合物(A)包括

(A-1)具有酚羟基的酚醛清漆树脂，其中酚羟基的部分或全部氢原子被1,2-萘醌二叠氮基磺酰基取代，

(A-2)具有酚羟基的酚醛清漆树脂，其中酚羟基的部分或全部氢原子被1,2-萘醌二叠氮基磺酰基取代；以及具有未取代的酚羟基的酚醛清漆树脂，

(A-3)具有酚羟基的酚醛清漆树脂，其中酚羟基的部分或全部氢原子被1,2-萘醌二叠氮基磺酰基取代；以及1,2-萘醌二叠氮基磺酸酯，

(A-4)具有酚羟基的酚醛清漆树脂，其中酚羟基的部分或全部氢原子被1,2-萘醌二叠氮基磺酰基取代；具有未取代的酚羟基的酚醛清漆树脂以及1,2-萘醌二叠氮基磺酸酯，或

(A-5)具有未取代的酚羟基的酚醛清漆树脂以及1,2-萘醌二叠氮基磺酸酯。

优选地，聚酯(B)为基于具有2至6个羧基的多官能羧酸的聚酯。

在另一方面，本发明提供了图案形成方法，其包括以下步骤：