[发明专利]基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法

权利要求书

1.基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构，其特征在于，该互连结构是由陶瓷基板和纳米银焊膏组成；所述互连结构至少包括两层陶瓷基板，陶瓷基板用于间隔堆叠于至少三层芯片之间，陶瓷基板上钻有位置对应的通孔，在通孔内壁和两连接界面均淀积金属铜种子层，在通孔内填充纳米银焊膏，然后通过纳米银焊膏实现连接芯片各电极的连接，压紧并烧结形成导电通路；所述陶瓷基板中通孔孔径范围100μm~2mm，所述芯片为碳化硅功率芯片，且其上下表面镀银。

2.根据权利要求1所述的基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构，其特征在于，所述互连结构中的陶瓷基板是通过激光打孔形成通孔。

3.制备权利要求1或2所述的基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构的方法，其特征在于步骤如下：

（1）陶瓷基板激光打孔，根据电极尺寸设计打孔的位置和孔径的大小；

（2）陶瓷基板的表面及通孔侧壁淀积种子层，然后在陶瓷基板的表面镀银；

（3）将芯片进行双面镀银；

（4）将陶瓷基板的通孔用纳米银焊膏填充，进行烧结，形成连接结构；

（5）使用模具固定陶瓷基板，然后在陶瓷基板的两面刷涂纳米银焊膏，安装芯片，形成堆叠结构，加压烧结；

（6）制作完成。