[发明专利]静态随机存取存储单元、静态随机存取存储器及电子装置

说明书

本发明提供一种静态随机存取存储单元、静态随机存取存储器和电子装置，所述静态随机存取存储单元中，在相应的传输门和存储节点之间增加一个额外的反相器，以对输出端连接所述存储节点的反相器的输出进行再次反相，实现对输出波形的整形，从而改善存储节点处的电位，消除了在低工作电压下噪声对输出信号造成的不利影响，增大了静态随机存取存储单元的噪声容限，提高了静态随机存取存储单元的稳定性；本发明的静态随机存取存储器和电子装置，具有本发明的静态随机存取存储单元，性能得到提高。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种静态随机存取存储单元、静态随机存取存储器及电子装置。

背景技术

随着数字集成电路的不断发展，片上集成的存储器已经成为数字系统中重要的组成部分。SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存取存储器)因其功耗低、速度高且不必配合内存刷新电路的优越性能而被广泛应用在高速存储系统、多媒体技术、蜂窝电话、图象处理、电子通信、语音处理合成等高新技术领域。高速低功耗的SRAM已经成为超大规模集成电路(VLSI)芯片的重要组成部分，朝着更快速度、更高集成度、更低功耗方向发展，但是随着CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)特征尺寸和工作电压的不断降低，如何提高SRAM单元电路的稳定性，仍具有很大的难度。

发明内容

本发明的目的在于提供一种静态随机存取存储单元、静态随机存取存储器及电子装置，能够使静态随机存取存储单元在低工作电压下具有良好抗噪声性能，有效提高稳定性。

为了实现上述目的，本发明提供一种静态随机存取存储单元，包括：

具有第一存储节点的第一反相器和具有第二存储节点的第二反相器，所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端相互连接，所述第一反相器的输入端和所述第二反相器的输出端相互连接；

第一传输门和/或第二传输门，所述第一传输门和/或第二传输门的控制端分别连接至相应的字线上，所述第一传输门和所述第二传输门的一端分别连接至相应的位线上；以及

第三反相器和/或第四反相器，所述第三反相器连接在所述第一传输门的另一端和所述第一存储节点之间，所述第四反相器连接在所述第二传输门的另一端和所述第二存储节点之间。

可选的，所述第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管；所述第一上拉晶体管和第一下拉晶体管的栅极互相连接，作为所述第一反相器的输入端，并连接至所述第二存储节点；所述第一上拉晶体管的漏极和第一下拉晶体管的漏极相互连接，作为所述第一反相器的输出端，并连接至所述第一存储节点；所述第一上拉晶体管的源极连接所述第二反相器或连接第一电压，所述第一下拉晶体管的源极接地或者连接第二电压。

可选的，所述第一上拉晶体管为PMOS晶体管，所述第一下拉晶体管为NMOS晶体管。

可选的，所述第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管；所述第二上拉晶体管和第二下拉晶体管的栅极互相连接，作为所述第二反相器的输入端，并连接至所述第一存储节点；所述第二上拉晶体管的漏极和第二下拉晶体管的漏极相互连接，作为所述第二反相器的输出端，并连接至所述第二存储节点；所述第二上拉晶体管的源极连接所述第一反相器或连接第一电压，所述第二下拉晶体管的源极接地或者连接第二电压。

可选的，所述第二上拉晶体管为PMOS晶体管，所述第二下拉晶体管为NMOS晶体管。

可选的，所述第三反相器包括第三上拉晶体管和第三下拉晶体管；所述第三上拉晶体管和第三下拉晶体管的栅极互相连接，作为所述第三反相器的输入端，并连接至所述第一存储节点；所述第三上拉晶体管的漏极和第三下拉晶体管的漏极相互连接，作为所述第三反相器的输出端，并连接至所述第一传输门的一端；所述第三上拉晶体管的源极连接第一电压或第三电压，所述第三下拉晶体管的源极接地或者连接第二电压。