[发明专利]一种封装结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201810316413.9 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108493164A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 王洪波 | 申请（专利权）人： | 同源微（北京）半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生辉 |
| 地址： | 100013 北京市东*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 键合丝 封装结构 封装芯片 键合点 配置 电路基板 弯折结构 覆盖 胶点 制作 申请 | ||
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
键合丝部，被配置为连接待封装芯片上的键合点与电路基板上的键合点，包括多个键合丝通路，并且每个所述键合丝通路被配置为两点弯折结构；以及
胶点部，被配置为覆盖所述键合丝部并覆盖所述待封装芯片的至少一部分。
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述待封装芯片上的键合点与所述电路基板上的键合点的跨距为1.3-1.7mm。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述每个键合丝通路为硅铝丝或金丝。
4.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，当所述键合丝通路为硅铝丝时，所述键合丝部的送线角度为30°-70°，当所述键合丝通路为金丝时，所述键合丝部的送线角度为90°。
5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述键合丝部的拱高高于所述待封装芯片50-300μm。
6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述键合丝部中每个键合丝通路采用双线键合结构。
7.如权利要求1-4中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述胶点部包括限定点胶区域的筑坝区和由所述筑坝区限定的用于填充胶的填充区。
8.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述筑坝区的位置精度不低于10μm。
9.一种制作封装结构的方法，其特征在于，所述方法包括：
将键合丝部与待封装芯片和电路基板键合，其中，键合丝部包括多个键合丝通路，每个所述键合丝通路配置为两点弯折结构；以及
进行点胶操作，令通过所述点胶操作形成的胶点部覆盖所述键合丝部并覆盖所述待封装芯片的至少部分。
10.如权利要求9所述的制作封装结构的方法，其特征在于，所述进行点胶操作的步骤包括：
形成筑坝区，所述筑坝区用于限定点胶区域；
形成填充区，所述填充区为所述筑坝区限定的用于填充胶的区域；以及
对所形成的所述筑坝区和所述填充区进行固化。
11.如权利要求10所述的制作封装结构的方法，其特征在于，所述对形成的所述筑坝区和所述填充区进行固化的步骤为阶梯式固化：
以50-100℃固化45-60min；以及
以100-160℃固化25-35min。
12.如权利要求10所述的制作封装结构的方法，其特征在于，所形成筑坝区的位置精度不低于10μm。
13.如权利要求9所述的制作封装结构的方法，其特征在于，在所述进行点胶操作的步骤中，以粘度范围在20Pa.s-80Pa.s的胶，2ml/min的胶量进行点胶，且胶点直径控制在10-30μm，针头行进速度2-20mm/s，工作温度为20-60℃。
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