[发明专利]显示基板及制作方法、显示装置在审
申请号: | 201810315199.5 | 申请日: | 2018-04-10 |
公开(公告)号: | CN108511498A | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 张博;王静妮;郭坤 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示基板 连接端子 显示装置 衬底 基板 金属 导通 划伤 烧断 上层 层叠设置 双层金属 牺牲金属 显示品质 良率 下层 制作 应用 生产 | ||
本发明公开了显示基板及制作方法、显示装置。该显示基板包括:基板衬底,所述基板衬底包括邦定区域;以及连接端子,所述连接端子设置在所述基板衬底上的所述邦定区域,所述连接端子包括层叠设置且互相接触的第一金属以及牺牲金属。显示基板邦定区域的连接端子具有双层金属,由此,在上层金属被划伤或烧断的情况下,可以利用下层金属进行导通,从而可以避免上层金属划伤或烧断导致的信号无法导通的问题,从而可以提高显示基板的生产良率,提高应用该显示基板的显示装置的显示品质。
技术领域
本发明涉及显示领域,具体地,涉及显示基板及制作方法、显示装置。
背景技术
显示器中的显示基板具有邦定区域,利用各向异性导电胶按照一定的工作流程,将面板与柔性印刷线路板(FPC)组合到一起并导通,连接至控制IC等结构。由此,可以实现显示器中信号的输入与控制。
然而,目前的显示基板及制作方法、显示装置仍有待改进。
发明内容
本发明是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的:
目前,具有柔性印刷线路板的显示装置,容易由于显示基板(如阵列基板或OLED的背板)上,与柔性印刷线路板相连的连接端子发生损伤,影响显示器件的性能。具体的,在切割显示基板邦定区域连接端子上方的玻璃基板时,容易将下方的连接端子划伤;或者,在检测环节,检测设备中的探针容易对裸露的连接端子造成划伤或烧断;再或者,在模组工艺中或在显示基板的搬运过程中,也容易造成连接端子的划伤。而连接端子的划伤或烧断,会导致与连接端子连接的控制单元中的信号无法通过连接端子输入到显示器中,从而造成显示屏幕显示异常,出现显示品质较差的问题。
本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。
在本发明的一个方面,本发明提出了一种显示基板。该显示基板包括:基板衬底,所述基板衬底包括邦定区域;以及连接端子,所述连接端子设置在所述基板衬底上的所述邦定区域,所述连接端子包括层叠设置且互相接触的第一金属以及牺牲金属。显示基板邦定区域的连接端子具有双层金属,由此,在上层金属被划伤或烧断的情况下,可以利用下层金属进行导通,从而可以避免上层金属划伤或烧断导致的信号无法导通的问题,从而可以提高显示基板的生产良率,提高应用该显示基板的显示装置的显示品质。
根据本发明的实施例,所述牺牲金属设置在所述基板衬底上,所述第一金属设置在所述牺牲金属远离所述基板衬底的一侧。由此,在第一金属被划伤或烧断的情况下,信号在断点处仍可以通过牺牲金属进行传输。
根据本发明的实施例,所述第一金属在所述基板衬底上的正投影位于所述牺牲金属在所述基板衬底上的正投影之内。由此,第一金属任意处被划伤或烧断,信号在断点处仍可以通过牺牲金属进行传输。
根据本发明的实施例,所述基板衬底包括显示区域,所述显示区域设置有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极以及源漏极,其中,所述牺牲金属与所述栅极同层同材料设置,所述第一金属与所述源漏极同层同材料设置。由此,该显示基板结构简单,简化生产工艺,节省成本。
根据本发明的实施例,所述第一金属设置在所述基板衬底上,所述牺牲金属设置在所述第一金属远离所述基板衬底的一侧。由此,可以利用牺牲金属保护第一金属,避免第一金属的划伤或烧断,保证信号的导通。
根据本发明的实施例,所述牺牲金属在所述基板衬底上的正投影位于所述第一金属在所述基板衬底上的正投影之内。由此,牺牲金属任意处被划伤或烧断,都能保证信号可以通过第一金属进行传输。
根据本发明的实施例,所述基板衬底包括显示区域,所述显示区域设置有像素电极以及薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括源漏极,其中,所述牺牲金属与所述像素电极同层同材料设置,所述第一金属与所述源漏极同层同材料设置。由此,该显示基板结构简单,简化生产工艺,节省成本。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的