[发明专利]显示基板及制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

基板衬底，所述基板衬底包括邦定区域；以及

连接端子，所述连接端子设置在所述基板衬底上的所述邦定区域，所述连接端子包括层叠设置且互相接触的第一金属以及牺牲金属。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述牺牲金属设置在所述基板衬底上，所述第一金属设置在所述牺牲金属远离所述基板衬底的一侧。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一金属在所述基板衬底上的正投影位于所述牺牲金属在所述基板衬底上的正投影之内。

4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述基板衬底包括显示区域，所述显示区域设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极以及源漏极，

其中，所述牺牲金属与所述栅极同层同材料设置，所述第一金属与所述源漏极同层同材料设置。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一金属设置在所述基板衬底上，所述牺牲金属设置在所述第一金属远离所述基板衬底的一侧。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述牺牲金属在所述基板衬底上的正投影位于所述第一金属在所述基板衬底上的正投影之内。

7.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述基板衬底包括显示区域，所述显示区域设置有像素电极以及薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源漏极，

其中，所述牺牲金属与所述像素电极同层同材料设置，所述第一金属与所述源漏极同层同材料设置。

8.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述基板衬底包括显示区域，所述显示区域设置有触控电极以及薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源漏极，

其中，所述牺牲金属与所述触控电极同层同材料设置，所述第一金属与所述源漏极同层同材料设置。

9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述牺牲金属包括钼以及氧化铟锡的至少之一，所述第一金属包括钛/铝/钛。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的显示基板。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，进一步包括：

柔性印刷线路板，所述柔性印刷线路板具有金属端子，所述金属端子与所述连接端子通过导电膜连接。

12.一种制作显示基板的方法，其特征在于，包括：

提供基板衬底，所述基板衬底包括邦定区域；以及

在所述基板衬底上的所述邦定区域设置连接端子，所述连接端子包括层叠设置且互相接触的第一金属以及牺牲金属。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述基板衬底包括显示区域，所述显示区域设置有薄膜晶体管，所述方法包括：

在所述基板衬底上，利用同一构图工艺同步设置所述牺牲金属以及所述薄膜晶体管的栅极；

在所述牺牲金属远离所述基板衬底的一侧，利用同一构图工艺同步设置所述第一金属以及所述薄膜晶体管的源漏极。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述基板衬底包括显示区域，所述显示区域设置有像素电极以及薄膜晶体管，所述方法包括：

在所述基板衬底上，利用同一构图工艺同步设置所述第一金属以及所述薄膜晶体管的源漏极，

在所述第一金属远离所述基板衬底的一侧，利用同一构图工艺同步设置所述牺牲金属以及所述像素电极。

15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述基板衬底包括显示区域，所述显示区域设置有触控电极以及薄膜晶体管，所述方法包括：

在所述基板衬底上，利用同一构图工艺同步设置所述第一金属以及所述薄膜晶体管的源漏极，

在所述第一金属远离所述基板衬底的一侧，利用同一构图工艺同步设置所述牺牲金属以及所述触控电极。