[发明专利]固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法以及电子设备有效
申请号: | 201810313375.1 | 申请日: | 2018-04-09 |
公开(公告)号: | CN108695352B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 大高俊德;大仓俊介;中村淳一 | 申请(专利权)人: | 普里露尼库斯新加坡私人有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N25/441;H01L25/065;H10B80/00;H04N25/40 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 韩丁 |
地址: | 新加坡安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
本发明提供一种固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法以及电子设备。固体摄像装置在第1基板形成像素部,在第2基板沿着列电平连接部形成列读取电路,沿着行电平连接部形成行驱动器,形成有包含用于布线间的间距变换的倾斜布线的间距变换用布线区域,间距变换用布线区域至少形成于具有比像素部短的第3间距的列读取电路的端部与列电平连接部的端部之间,或者/以及具有比像素部短的第4间距的行驱动器的端部与行电平连接部的端部之间。
本发明包含与2017年4月10日向日本专利局递交的日本专利申请JP2017-77304有关的主体,全部内容援引于此。
技术领域
本发明涉及固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法以及电子设备。
背景技术
作为使用了检测光来产生电荷的光电变换元件的固体摄像装置(图像传感器),CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)图像传感器被实用地提供。
CMOS图像传感器作为数字照相机、摄像机、监视照相机、医疗用内窥镜、个人计算机(PC)、移动电话等移动终端装置(移动设备)等各种电子设备的一部分而被广泛应用。
CMOS图像传感器具有按照每个像素而具有光电二极管(光电变换元件)以及浮游扩散层(FD:Floating Diffusion,浮动扩散体)的FD放大器,其读取中,选择排列有像素的像素部(像素阵列部)中的某一行,将这些同时向列(column)输出方向读取的列并列输出型是主流。
列并列输出型CMOS图像传感器基本上具有:多个像素被排列为二维矩阵状(行列状)的像素部(像素阵列部)、进行驱动以使得将像素部中被地址指定的某一行的像素信号同时并列地向列(column)输出方向读取的行(row)驱动器(Row Driver;垂直扫描电路)、对被读取的信号实施规定的信号处理的列读取电路系统(Column Signal Chain)以及数据输出电路。
列读取电路按照每列(column),ADC等的列信号处理电路被列排列。并且,列读取电路的各列信号处理电路与像素部的各列输出对应配置。
这样的CMOS图像传感器能够大致分为像素阵列部(像素部)、和包含行驱动器、列读取电路等的周边电路部。
以往,像素阵列部和周边电路部被安装于同一芯片上,换句话说,周边电路被安装于焦平面上。
其结果,CMOS图像传感器的芯片面积(投影面积)变得比本来应需要的像素阵列部大,因此不能使用更小型的透镜或透镜支架,存在不能使照相机基板小型化(Miniaturize)到极限的问题。
因此,为了消除这种问题,提出了各种芯片层叠化技术。
芯片层叠化技术不管是相同种类还是不同种类,都能够将2片以上的基板(Die)层叠并与基板(Die)间的物理连接进行电连接。
在非专利文献1所示的CMOS图像传感器的层叠化事例中,在光入射的第1基板(CISDie)安装像素阵列部、列(Column)电平、行(Row)电平的TSV和I/O焊盘,在层叠方向的下侧的第2基板(ASIC die)安装形成列读取电路系统的列信号链(Column Signal Chain)、行驱动器(Row Driver)、其他周边电路。
此外,在非专利文献2所示的CMOS图像传感器的层叠化事例中,比像素窄的间距的列信号链(Column Signal Chain)在第2基板(ASIC Die)的上下被安装2个,能够抑制高速化和纵宽的增加。
另一方面,在非专利文献3所示的CCD图像传感器的情况下,可知即使不使用层叠化技术,焦平面也几乎被像素阵列占用,周边电路的比例非常小。
在这样的构成中,由于光学中心、像素阵列的中心和芯片的中心位于几乎相同的坐标,因此不需要光轴对准的多余空间,能够实现最小的透镜支架的使用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的