[发明专利]固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法以及电子设备有效
| 申请号: | 201810313375.1 | 申请日: | 2018-04-09 |
| 公开(公告)号: | CN108695352B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
| 发明(设计)人: | 大高俊德;大仓俊介;中村淳一 | 申请(专利权)人: | 普里露尼库斯新加坡私人有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N25/441;H01L25/065;H10B80/00;H04N25/40 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 韩丁 |
| 地址: | 新加坡安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种固体摄像装置,具有:
像素部,进行光电变换的多个像素被配置为矩阵状;
读取部,从所述像素部在列输出方向读取像素信号;
第1基板;和
第2基板,
所述读取部至少包含:
行驱动器,进行驱动以使得将所述像素部中被指定的行的像素信号向列输出方向读取;和
列读取电路,对根据所述行驱动器的驱动而读取的信号实施规定的信号处理,
所述第1基板和所述第2基板具有通过各自的基板的形成于所述列输出方向的至少一个侧部的列电平连接部以及形成于与所述列输出方向正交的方向的至少一个侧部的行电平连接部而连接的层叠构造,
在所述第1基板,形成所述像素部,该像素部的所述列电平连接部所在的侧部的与所述列输出方向正交的方向的宽度具有第1间距,所述行电平连接部所在的侧部的所述列输出方向的宽度具有第2间距,
在所述第2基板,至少形成有所述列读取电路、所述行驱动器和间距变换用布线区域,
所述列读取电路的所述列电平连接部所在的侧部的与所述列输出方向正交的方向的宽度具有与所述第1间距对应的第3间距,
所述行驱动器的所述行电平连接部所在的侧部的所述列输出方向的宽度具有与所述第2间距对应的第4间距,
所述间距变换用布线区域包含用于布线间的间距变换的倾斜布线,
所述第2基板中的所述列读取电路的第3间距以及所述行驱动器的第4间距之中的至少一方比所述第1基板中的所述像素部的对应的第1间距或者第2间距短,
所述间距变换用布线区域至少形成于具有比所述像素部短的第3间距的所述列读取电路的端部与所述列电平连接部的端部之间、或者/以及具有比所述像素部短的第4间距的所述行驱动器的端部与所述行电平连接部的端部之间。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
在所述间距变换用布线区域,所述倾斜布线从所述列电平连接部的端部侧到与所述列读取电路的两端位置一致的位置被实施布线,或者/以及从所述行电平连接部的端部侧到与所述行驱动器的两端位置一致的位置被实施布线。
3.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
在所述间距变换用布线区域,在通过间距变换布线而变换了布线间间距之后形成有折回布线。
4.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述间距变换用布线区域被配置为通过不同的布线层而与所述列读取电路或者/以及所述行驱动器重叠。
5.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
具有比所述像素部的第1间距短的第3间距的所述列读取电路的输入端子形成于该列读取电路的所述列输出方向的外侧的侧部以及内侧的侧部之中的一个侧部。
6.根据权利要求5所述的固体摄像装置,其中,
所述列读取电路的输入端子形成于该列读取电路的所述列输出方向的外侧的侧部,
在所述间距变换用布线区域,在通过与所述列读取电路的布线层不同的布线层而变换了布线间间距之后形成有折回布线。
7.根据权利要求5所述的固体摄像装置,其中,
在所述第2基板的所述列输出方向的2个侧部之间,形成具有比所述像素部的第1间距短的第3间距的多个所述列读取电路,
在所述间距变换用布线区域,包含扩展布线区域,所述扩展布线区域被配置于所述列读取电路的形成有输入端子的侧部侧,并且被扩展为间距变换后的布线与该输入端子连接。
8.根据权利要求7所述的固体摄像装置,其中,
相邻的2个所述列读取电路被配置为形成有输入端子的侧部侧相向,由该2个所述列读取电路共享一个所述扩展布线区域。
9.根据权利要求8所述的固体摄像装置,其中,
在所述扩展布线区域,被布线为2个所述列读取电路的信号的流动方向相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





