[发明专利]半导体8寸晶圆制造薄膜制程的TiN工艺的Ti材质零部件再生方法在审

专利信息
申请号: 201810306520.3 申请日: 2018-04-08
公开(公告)号: CN108672352A 公开(公告)日: 2018-10-19
发明(设计)人: 范银波 申请(专利权)人: 苏州珮凯科技有限公司
主分类号: B08B3/02 分类号: B08B3/02;B08B7/00;B08B5/02;B08B13/00
代理公司: 苏州市方略专利代理事务所(普通合伙) 32267 代理人: 马广旭
地址: 215000 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 零部件 干冰喷射 再生 常压 晶圆 制程 薄膜 半导体 零部件表面 干冰颗粒 高速喷射 高压水泵 清洗效果 热风烘干 超纯水 钛材质 水压 干冰 回温 水冲 骤冷 钛材 冲洗 加热 喷射 制造
【说明书】:

发明公开了半导体8寸晶圆制造薄膜制程的TiN工艺的Ti材质零部件再生方法,包括以下步骤:(1)、常压下,纯水或超纯水加热后,热水通入高压水泵,往Ti材质零部件表面各处喷射,水压不小于85bar;(2)、用热风烘干Ti材质零部件;(3)、常压下,随着自然冷却的进行,使用干冰喷射机,往Ti材质零部件各处高速喷射干冰颗粒,射速870~1000m/s;(4)、干冰喷射结束后,自然回温至室温,再冲洗。本发明的步骤简明扼要,但处理效果神奇,能够在较短时间内得到极佳的杂质脱落清洗效果,并且水冲压力和干冰骤冷均在钛材承受范围内,使得钛材质光电零部件的再生变得简单易行。

技术领域

本发明属于光电清洗技术领域,尤其是半导体8寸晶圆制造薄膜制程的TiN工艺的Ti材质零部件再生方法。

背景技术

半导体技术领域使用的零部件,往往对清洁度的要求较高,微小的杂质都会影响半导体的性能。作为可以耐久使用的非消耗核心零部件,不可能在其还能使用的时候就更换,成本太高,而是用清洗、清洁技术来实现半导体零部件的再生,再生的零部件可以重复投入使用,性能上基本没有影响。

传统的清洗是有机化学溶剂或试剂,对有机残留进行溶解后处理;或者采用辅助的的高压水喷砂清洗等。但前者会对环境造成污染,后者会损坏零部件本身表面涂层。因此,开发一种无污染、且清洗效果好的光电零部件再生方法势在必行。

HJTC TiN工艺是和舰科技开发的一种半导体薄膜制程工艺,其适用的零部件有不锈钢材质的上下罩体,钛材质的快门片、底座、环状构件等。

钛材质因为其优异的耐腐蚀、耐高低温特性被广泛应用于一些工况复杂和对使用耐久度要求较高的部件。

针对钛材质零部件,本发明基于热胀冷缩原理,使零部件表面的杂质脱落,全程采用清洁的介质,无残留,且再生效果极佳。

发明内容

发明目的:为了使Ti材料的光电零部件实现清洁后再生使用,本发明开发了一种半导体8寸晶圆制造薄膜制程的TiN工艺的Ti材质零部件再生方法,利用热胀冷缩使零部件表面的杂质脱落,以解决现有技术中存在的问题。

发明内容:半导体8寸晶圆制造薄膜制程的TiN工艺的Ti材质零部件再生方法,包括以下步骤:

(1)、常压下,纯水或超纯水加热到75~95℃,将热水通入高压水泵,高压水泵连接喷嘴,热水通过喷嘴往Ti材质零部件表面各处喷射,水压不小于85bar,处理20~35min;

(2)、用热风烘干Ti材质零部件,热风温度不高于100℃;

(3)、常压下,随着自然冷却的进行,使用干冰喷射机,往Ti材质零部件各处高速喷射干冰颗粒,射速870~1000m/s,处理时间至少为10min;

(4)、干冰喷射结束后,自然回温至室温,再用常温的超纯水洗或者空气冲洗Ti材质零部件表面,带走脱落的杂质。

作为优选,步骤(1)中,水压为85-165bar。水压的大小确保金属表面清洗的击打力度。

作为优选,步骤(3)中,干冰喷射的处理时间为15-25min。干冰喷射的处理时间使在经济原则的基础上对零部件进行充分的冷却和撞击,使杂质碎片脱落。

作为优选,所述干冰喷射机为单喉管喷射机。单喉管喷射机不掺杂空气,干冰喷射的击打力度较大,参数易调。

进一步,所述单喉管喷射机喷射的干冰颗粒的粒度为0.55-1.5mm,经高压挤出成型。干冰的粒度使喷射干冰的击打作用和气化后产生的膨胀作用均达到合适的范围,使干冰利用率得到最大发挥。

作为优选,步骤(3)中,干冰喷射机喷嘴喷射出的介质中,干冰所占体积分数为9~35%。干冰的体积分数使干冰在处理效果和使用的经济性得到很好平衡,并且合适的体积分数能得到最好的流体力学效果。

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