[发明专利]半导体8寸晶圆制造薄膜制程的TiN工艺的Ti材质零部件再生方法

权利要求书

1.半导体8寸晶圆制造薄膜制程的TiN工艺的Ti材质零部件再生方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）、常压下，纯水或超纯水加热到75~95℃，将热水通入高压水泵，高压水泵连接喷嘴，热水通过喷嘴往Ti材质零部件表面各处喷射，水压不小于85bar，处理20~35min；

（2）、用热风烘干Ti材质零部件，热风温度不高于100℃；

（3）、常压下，随着自然冷却的进行，使用干冰喷射机，往Ti材质零部件各处高速喷射干冰颗粒，射速870~1000m/s，处理时间至少为10min；

（4）、干冰喷射结束后，自然回温至室温，再用常温的超纯水洗或者空气冲洗Ti材质零部件表面，带走脱落的杂质。

2.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制造薄膜制程的TiN工艺的Ti材质零部件再生方法，其特征在于，步骤（1）中，水压为85-165bar。

3.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制造薄膜制程的TiN工艺的Ti材质零部件再生方法，其特征在于，步骤（3）中，干冰喷射的处理时间为15-25min。

4.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制造薄膜制程的TiN工艺的Ti材质零部件再生方法，其特征在于，所述干冰喷射机为单喉管喷射机。

5.根据权利要求4所述的半导体8寸晶圆制造薄膜制程的TiN工艺的Ti材质零部件再生方法，其特征在于，所述单喉管喷射机喷射的干冰颗粒的粒度为0.55-1.5mm，经高压挤出成型。

6.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制造薄膜制程的TiN工艺的Ti材质零部件再生方法，其特征在于，步骤（3）中，干冰喷射机喷嘴喷射出的介质中，干冰所占体积分数为9~35%。

7.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制造薄膜制程的TiN工艺的Ti材质零部件再生方法，其特征在于，步骤（3）中，在Ti材质零部件自然冷却到30~45℃时开始喷射干冰颗粒。

8.根据权利要求1所述的半导体8寸晶圆制造薄膜制程的TiN工艺的Ti材质零部件再生方法，其特征在于，步骤（1）中，热水喷射Ti材质零部件表面时，喷嘴出口热水喷射方向与Ti材质零部件表面成斜角。

9.根据权利要求8所述的半导体8寸晶圆制造薄膜制程的TiN工艺的Ti材质零部件再生方法，其特征在于，所述喷嘴出口热水喷射方向与Ti材质零部件表面所成角度范围为arctan0.035~arctan0.1763。