[发明专利]一种GPP芯片清洗溶液及清洗工艺

说明书

本发明公开了一种GPP芯片清洗溶液及清洗工艺，清洗溶液包括1#液和2#液，其中1#液按重量份为：纯水6‑9份，质量浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的氨水1份；2#液：纯水6‑9份，浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的盐酸1份。通过改变溶液配比，使溶液可以直接加热至沸腾状态，形成恒温。

技术领域

本发明涉及GPP芯片清洗技术领域，特别是涉及一种GPP芯片清洗溶液及清洗工艺。

背景技术

目前GPP芯片采用RCA清洗工艺，清洗溶液需要控制在75±5℃，恒温过程耗时、费力，要求设备控温能力好，一旦温度过低、过高芯片易成为不良品，最终良率低，硅片和化学品浪费严重。

如何控制清洗溶液处于恒温状态，提高芯片良率，是本发明需要解决的技术问题。

发明内容

本发明就是针对上述存在的缺陷而提供一种GPP芯片清洗溶液及清洗工艺。现在通过改变工艺参数，溶液配比进行改变，使溶液可以直接加热至沸腾状态，形成恒温，易控制操作，提高了效率，还有效地提高了芯片良率。

本发明中所述的浓度是指质量浓度，份是指体积比例。

本发明的一种GPP芯片清洗溶液及清洗工艺技术方案为，一种GPP芯片清洗溶液，包括1#液和2#液，其中1#液按重量份为：纯水6-9份，质量浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的氨水1份；2#液：纯水6-9份，浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的盐酸1份。

溶液工作状态为沸腾状态。

1#液按重量份为：纯水9份，质量浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的氨水1份；2#液：纯水9份，浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的盐酸1份。该配比使用起来最节约，成本最低。

1#液按重量份为：纯水6份，质量浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的氨水1份；2#液：纯水9份，浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的盐酸1份。该配比清洗硅片验证效果最好。

一种GPP芯片清洗工艺，采用如权利要求1所述的GPP芯片清洗溶液。

所述的一种GPP芯片清洗工艺，包括以下步骤：

（1）硅片在花篮中冲纯水待清洗；

（2）在石英锅中按比例加入沸纯水，过氧化氢，氨水，配置好1#液，快速加热至沸腾，约用时1-2分钟；

（3）将盛硅片的花篮放入1#液中，煮8-10分钟；

（4）提出花篮，放入纯水中冲8-10分钟；

（5）在石英锅中按比例加入沸纯水，过氧化氢，盐酸，配置好2#液，快速加热至沸腾，约用时1-2分钟；

（6）将盛硅片的花篮放入2#液中，煮8-10分钟；

（7）提出花篮，放入纯水中冲8-10分钟；

（8）提出花篮，放入烤箱烘干，清洗完毕。

本发明溶液能保持恒温的原理：水在1个标准大气压下，沸点稳定是100℃，在加入少量化学品配成溶液后，仍能保持这种恒温的特性，沸点上下变化不大。

1#液作用为，过氧化氢氧化硅表面形成二氧化硅，在氨水中的氢氧根离子的作用下，表面被蚀刻，这样，任何有机的和颗粒状的杂质在硅片表面被蚀刻时均被去除。NH4OH通过与金属离子形成络合物，也协助去除一些金属杂质。

2#液作用为，盐酸和重金属离子形成可溶性的盐酸盐，以去除重金属杂质；过氧化氢氧化硅表面杂质，与盐酸一起去除碱金属离子与碱金属氢氧化物。