[发明专利]一种GPP芯片清洗溶液及清洗工艺在审
| 申请号： | 201810302171.8 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN108559661A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张运;孙者利;王大勇 | 申请（专利权）人： | 济南卓微电子有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/18 | 分类号： | C11D7/18;C11D7/08;C11D7/04;C11D7/60;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250200 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗溶液 过氧化氢 清洗工艺 氨水 沸腾状态 溶液配比 直接加热 重量份 盐酸 | ||
1.一种GPP芯片清洗溶液，其特征在于，包括1#液和2#液，其中1#液按重量份为：纯水6-9份，质量浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的氨水1份；2#液：纯水6-9份，浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的盐酸1份。
2.根据权利要求1所述的一种GPP芯片清洗溶液，其特征在于，溶液工作状态为沸腾状态。
3.根据权利要求1所述的一种GPP芯片清洗溶液，其特征在于，1#液按重量份为：纯水9份，质量浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的氨水1份；2#液：纯水9份，浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的盐酸1份。
4.根据权利要求1所述的一种GPP芯片清洗溶液，其特征在于，1#液按重量份为：纯水6份，质量浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的氨水1份；2#液：纯水9份，浓度为35%的过氧化氢2份，浓度为35%的盐酸1份。
5.一种GPP芯片清洗工艺，其特征在于，采用如权利要求1所述的GPP芯片清洗溶液。
6.根据权利要求5所述的一种GPP芯片清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：
（1）硅片在花篮中冲纯水待清洗；
（2）在石英锅中按比例加入沸纯水，过氧化氢，氨水，配置好1#液，快速加热至沸腾；
（3）将盛硅片的花篮放入1#液中，煮8-10分钟；
（4）提出花篮，放入纯水中冲8-10分钟；
（5）在石英锅中按比例加入沸纯水，过氧化氢，盐酸，配置好2#液，快速加热至沸腾；
（6）将盛硅片的花篮放入2#液中，煮8-10分钟；
（7）提出花篮，放入纯水中冲8-10分钟；
（8）提出花篮，放入烤箱烘干，清洗完毕。
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