[发明专利]一种具有抗打击电极的LED芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种具有抗打击电极的LED芯片制作方法，包括提供一发光结构，在所述发光结构上形成电极，在所述电极表面沉积一层抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层。本发明通过在电极上形成一层抗打击膜层，避免电极形变，并且防止电极中的Al在高温环境中反射迁移，从而提高LED芯片的可靠性。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种具有抗打击电极的LED芯片及其制作方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

现有LED芯片的电极大多数使用热稳定性以及延展性较好的黄金制作而成。但是，随着LED芯片行业的快速发展，黄金高昂价格成为突出的问题，需要找到一种可以替代黄金而且价格低廉的金属作为LED芯片的电极材料。其中，金属铝因其成本低且金属性良好而被使用，由于Au与外延层之间具有一定的差异，现有工艺是将Cr层作为电极的底层，然后在Cr层上形成Al层、Ti层、Cr层、Ti层等，最后形成Al层。但是，现有电极结构在封装打线的过程中由于受到高温和高压的作用，容易发生电极变形和Al迁移，从而导致漏电。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种具有抗打击电极的LED芯片及其制作方法，在电极上形成一层抗打击膜层，避免电极形变，并且防止电极中的Al在高温环境中反射迁移，从而提高LED芯片的可靠性。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种具有抗打击电极的LED芯片制作方法，包括：

提供一发光结构，

在所述发光结构上形成电极，

在所述电极表面沉积一层抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层。

作为上述方案的改进，所述电极依次包括第一Cr层、第一Al层、第二Cr层、第一Ti层和第二Al层。

作为上述方案的改进，所述第二Ti层的厚度为500-1000埃，Pt层的厚度为500-1000埃，第三Cr层的厚度为200-500埃，第一Au层的厚度为2000-5000埃，第四Cr层的厚度为200-500埃，第二Au的厚度为200-500埃。

作为上述方案的改进，所述第一Cr层的厚度为10-30埃，第一Al层的厚度为1000-1500埃，第二Cr层的厚度为100-300埃，第一Ti层的厚度为500-1000埃，第二Al层的厚度为10000-20000埃。

作为上述方案的改进，所述发光结构在制作方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底表面形成外延层，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层。

作为上述方案的改进，所述电极的制作方法包括：

对所述外延层进行刻蚀，形成裸露区域，所述裸露区域贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层；

在所述裸露区域和第二半导体层上沉积所述电极，位于第一半导体层上的电极和抗打击膜层组成第一电极，位于第二半导体层上的电极和抗打击膜层组成第二电极。

作为上述方案的改进，在形成裸露区域之后，形成第一电极之前，还包括以下步骤：

在所述第二半导体层上依次形成电流阻挡层和透明导电层；