[发明专利]一种具有抗打击电极的LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，包括：

提供一发光结构，

在所述发光结构上形成电极，

在所述电极表面沉积一层抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层。

2.根据权利要求1所述的具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，所述电极依次包括第一Cr层、第一Al层、第二Cr层、第一Ti层和第二Al层。

3.根据权利要求1或2所述的具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，所述第二Ti层的厚度为500-1000埃，Pt层的厚度为500-1000埃，第三Cr层的厚度为200-500埃，第一Au层的厚度为2000-5000埃，第四Cr层的厚度为200-500埃，第二Au的厚度为200-500埃。

4.根据权利要求2所述的具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，所述第一Cr层的厚度为10-30埃，第一Al层的厚度为1000-1500埃，第二Cr层的厚度为100-300埃，第一Ti层的厚度为500-1000埃，第二Al层的厚度为10000-20000埃。

5.根据权利要求1所述的具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，所述发光结构在制作方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底表面形成外延层，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层。

6.根据权利要求5所述的具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，所述电极的制作方法包括：

对所述外延层进行刻蚀，形成裸露区域，所述裸露区域贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至所述第一半导体层；

在所述裸露区域和第二半导体层上沉积所述电极，位于第一半导体层上的电极和抗打击膜层组成第一电极，位于第二半导体层上的电极和抗打击膜层组成第二电极。

7.根据权利要求6所述的具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，在形成裸露区域之后，形成电极之前，还包括以下步骤：

在所述第二半导体层上依次形成电流阻挡层和透明导电层；

对所述透明导电层和电流阻挡层进行蚀刻，形成贯穿所述透明导电层和电流阻挡层并延伸至第二半导体层表面的第一孔洞，将第二半导体层裸露出来。

8.根据权利要求7所述的具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，在形成抗打击膜层之后，还包括以下步骤：

在透明导电层和抗打击膜层表面沉积一层绝缘层，并对所述绝缘层进行蚀刻，将所述抗打击膜层裸露出来。

9.根据权利要求1所述的具有抗打击电极的LED芯片制作方法，其特征在于，采用电子束蒸镀、热蒸镀或磁控溅射工艺在所述上沉积一层抗打击膜层。

10.一种具有抗打击电极的LED芯片，包括发光结构、电极和位于电极表面的抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层。