[发明专利]一种半导体器件在审
| 申请号： | 201810301083.6 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN110350032A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 汪广羊 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场氧化层 接触孔 漂移区 衬底 漏区 半导体 半导体器件 场板结构 靠近源 体区 漂移 导通电阻 击穿电压 耗尽 源区 包围 延伸 优化 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底中形成体区和漂移区，所述体区内形成源区，所述漂移区内形成漏区；
场氧化层，所述场氧化层位于所述漂移区上且所述漂移区包围至少部分所述场氧化层；
场板结构，所述场板结构跨设在所述半导体衬底和所述场氧化层上，并延伸到所述体区上；
多个接触孔，所述接触孔深入所述场氧化层中，其中靠近所述源区的接触孔深入所述场氧化层中的深度大于靠近所述漏区的接触孔深入所述场氧化层中的深度。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，靠近所述源区的接触孔的开孔尺寸大于靠近所述漏区的接触孔的开孔尺寸。
3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述多个接触孔中的部分接触孔先贯穿所述场板结构后再深入所述场氧化层中。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个接触孔分为若干分组，同一个分组中的接触孔的开孔尺寸相同且深入所述场氧化层中的深度也相同。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，相邻的两个分组中，靠近所述源区的分组中的接触孔的开孔尺寸大于靠近所述漏区的分组中的接触孔的开孔尺寸，靠近所述源区的分组中的接触孔深入所述场氧化层中的深度大于靠近所述漏区的分组中的接触孔深入所述场氧化层中的深度。
6.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
体引出区，所述体引出区形成于所述体区内，并与所述源区相邻接。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述场氧化层的上表面高于所述漂移区的上表面。
8.如权利要求1或7所述的半导体器件，其特征在于，当所述漂移区的导电类型与所述半导体衬底的导电类型不同时，所述漂移区包围全部所述场氧化层。
9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括LDMOS器件。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述体区为P型掺杂且所述漂移区为N型掺杂以形成NLDMOS器件，或者所述体区为N型掺杂且所述漂移区为P型掺杂以形成PLDMOS器件。
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