[发明专利]基于CsPbX3钙钛矿量子点的阻变存储器及制备方法

说明书

本发明公开了基于CsPbX₃钙钛矿量子点的阻变存储器及制备方法，其中，阻变存储器从下至上依次包括：柔性基底、底电极、第一聚合物层、CsPbX₃钙钛矿量子点层、第二聚合物层、顶电极，其中，X=Cl、Br或I，所述底电极和所述顶电极至少有一个为透明电极。本发明将CsPbX₃钙钛矿量子点与聚合物采用三明治的结构制成活性层，两侧的聚合物可以很好的将CsPbX₃钙钛矿量子点保护起来，提高了器件的稳定性，同时CsPbX₃量子点的尺寸可以通过过滤筛选，进一步提高存储器的电学性能和存储性能的稳定性；并且聚合物与CsPbX₃钙钛矿量子点结合具有极好的柔性，可实现器件较好的机械性。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种基于CsPbX₃钙钛矿量子点的阻变存储器及制备方法。

背景技术

非易失型存储器（NVRAM）是一种在断电模式下仍可保存信息的随机存储器。目前非易失型存储器的研究多为硅基，因此器件仍存在机械性能差的缺点；并且传统的氧化物介质的材料，需要使用磁控溅射、等离子体氧化等的方法进行器件的制备，工艺流程较为复杂；有机物介质材料的阻变存储器制备相对简单，但其器件的整体性能比无机物介质材料的器件差。现有的非易失型存储器不同程度地存在机械性能较差，稳定性不足等缺点。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种基于CsPbX₃钙钛矿量子点的阻变存储器及制备方法，旨在解决现有的非易失型存储器机械性能较差、稳定性不足的问题。

本发明的技术方案如下：

一种阻变存储器，从下至上依次包括：柔性基底、底电极、第一聚合物层、CsPbX₃钙钛矿量子点层、第二聚合物层、顶电极，其中，X=Cl、Br或I，所述底电极和所述顶电极中的至少一种为透明电极。

所述的阻变存储器，其中，所述透明电极的材料为ITO或AZO。

所述的阻变存储器，其中，所述底电极和所述顶电极的厚度为20-30nm。

所述的阻变存储器，其中，所述第一聚合物层和所述第二聚合物层采用的材料均为PMMA、PS和PVA中的一种。

一种如上所述的阻变存储器的制备方法，包括：

步骤A、在柔性基底上制作底电极；

步骤B、在所述底电极上制作第一聚合物层，并退火；

步骤C、在所述第一聚合物层上制作CsPbX₃钙钛矿量子点层；

步骤D、在所述CsPbX₃钙钛矿量子点层上制作第二聚合物层；

步骤E、在所述第二聚合物层上制作顶电极，得到所述阻变存储器。

所述的阻变存储器的制备方法，其中，所述步骤B中，退火的条件为：于90-100℃退火1-2h。

所述的阻变存储器的制备方法，其中，所述步骤C中，所述CsPbX₃钙钛矿量子点层由CsPbX₃钙钛矿量子点组成，所述CsPbX₃钙钛矿量子点通过以下制备方法制备得到：

步骤C1、将碳酸铯与十八烯、油酸混合均匀，于140-160℃反应，生成油酸铯溶液；

步骤C2、将卤化铅和十八烯混合均匀，加热到110-130℃，依次注入油胺和油酸，混合均匀后加热到150-170℃；