[发明专利]基于CsPbX3钙钛矿量子点的阻变存储器及制备方法

权利要求书

1.一种阻变存储器，其特征在于，从下至上依次包括：柔性基底、底电极、第一聚合物层、CsPbX₃钙钛矿量子点层、第二聚合物层、顶电极，其中，X=Cl、Br或I，所述底电极和所述顶电极中的至少一种为透明电极。

2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述透明电极的材料为ITO或AZO。

3.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述底电极和所述顶电极的厚度为20-30nm。

4.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述第一聚合物层和所述第二聚合物层采用的材料均为PMMA、PS和PVA中的一种。

5.一种如权利要求1-4任一所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括：

步骤A、在柔性基底上制作底电极；

步骤B、在所述底电极上制作第一聚合物层，并退火；

步骤C、在所述第一聚合物层上制作CsPbX₃钙钛矿量子点层；

步骤D、在所述CsPbX₃钙钛矿量子点层上制作第二聚合物层；

步骤E、在所述第二聚合物层上制作顶电极，得到所述阻变存储器。

6.根据权利要求5所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，退火的条件为：于90-100℃退火1-2h。

7.根据权利要求5所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤C中，所述CsPbX₃钙钛矿量子点层由CsPbX₃钙钛矿量子点组成，所述CsPbX₃钙钛矿量子点通过以下制备方法制备得到：

步骤C1、将碳酸铯与十八烯、油酸混合均匀，于140-160℃反应，生成油酸铯溶液；

步骤C2、将卤化铅和十八烯混合均匀，加热到110-130℃，依次注入油胺和油酸，混合均匀后加热到150-170℃；

步骤C3、将步骤C1中所述油酸铯溶液冷却至95-105℃，然后注入到步骤C2的反应液中，反应4-8 s后冰水浴8-15 min，再采用乙醇使制备的CsPbX₃钙钛矿量子点从溶液中沉淀，然后分离得到CsPbX₃钙钛矿量子点。

8.根据权利要求7所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤C1中的碳酸铯与所述步骤C2中的卤化铅的摩尔比为5-6:1。

9.根据权利要求7所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，还包括：

步骤C4、采用过滤针头对CsPbX₃钙钛矿量子点材料进行过滤筛选。

10. 根据权利要求7所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤C中，CsPbX₃钙钛矿量子点层采用旋涂工艺制作，旋涂的速度为1500-4000 rpm。