[发明专利]附脱模层铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法

权利要求书

1.一种附脱模层铜箔，其依次具备脱模层、阻隔层、及铜箔。

2.根据权利要求1所述的附脱模层铜箔，其中，上述阻隔层的对铜蚀刻剂的溶解性为0.1以下。

3.根据权利要求2所述的附脱模层铜箔，其中，上述铜蚀刻剂为以下的(3-1)～(3-4)中的任一者，

(3-1)氯化铜蚀刻剂

(组成)

二氯化铜：25wt％

盐酸：4.6wt％

剩余部分：水

(3-2)氯化铁蚀刻剂

(组成)

三氯化铁：37wt％(波美度为40°B'e)

剩余部分：水

(3-3)碱蚀刻剂

(组成)

CuCl₂：295g/L

NH₃：9.4mol/L

剩余部分：水

(3-4)硫酸-过氧化氢水溶液

(组成)

35wt％过氧化氢：80mL/L

浓硫酸：120mL/L

剩余部分：水。

4.根据权利要求1所述的附脱模层铜箔，其中，

上述阻隔层为Ni层、Ti层、Cr层、V层、Zr层、Ta层、Au层、Pt层、Os层、Pd层、Ru层、Rh层、Ir层、W层、Mo层，或者，含有下述合金的层，或者，含有下述碳化物、氧化物或氮化物的层；

上述合金包含选自由Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Mo、Si及Cr所组成群中的任意1种以上；

上述碳化物、氧化物或氮化物包含选自由Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Mo、Si及Cr所组成群中的任意1种以上。

5.根据权利要求2所述的附脱模层铜箔，其中，

上述阻隔层为Ni层、Ti层、Cr层、V层、Zr层、Ta层、Au层、Pt层、Os层、Pd层、Ru层、Rh层、Ir层、W层、Mo层，或者，含有下述合金的层，或者，含有下述碳化物、氧化物或氮化物的层；

上述合金包含选自由Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Mo、Si及Cr所组成群中的任意1种以上；

上述碳化物、氧化物或氮化物包含选自由Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Mo、Si及Cr所组成群中的任意1种以上。

6.根据权利要求3所述的附脱模层铜箔，其中，

上述阻隔层为Ni层、Ti层、Cr层、V层、Zr层、Ta层、Au层、Pt层、Os层、Pd层、Ru层、Rh层、Ir层、W层、Mo层，或者，含有下述合金的层，或者，含有下述碳化物、氧化物或氮化物的层；

上述合金包含选自由Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Mo、Si及Cr所组成群中的任意1种以上；

上述碳化物、氧化物或氮化物包含选自由Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Mo、Si及Cr所组成群中的任意1种以上。

7.根据权利要求1所述的附脱模层铜箔，其中，上述阻隔层由Mo单质、Cr单质、Ni单质、含有20质量％以上的Cr的Ni-Mo-Cr合金、Ni-W合金、或者Ni-Mo合金形成。

8.根据权利要求2所述的附脱模层铜箔，其中，上述阻隔层由Mo单质、Cr单质、Ni单质、含有20质量％以上的Cr的Ni-Mo-Cr合金、Ni-W合金、或者Ni-Mo合金形成。

9.根据权利要求3所述的附脱模层铜箔，其中，上述阻隔层由Mo单质、Cr单质、Ni单质、含有20质量％以上的Cr的Ni-Mo-Cr合金、Ni-W合金、或者Ni-Mo合金形成。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的附脱模层铜箔，其中，上述阻隔层的针孔个数为100个/dm²以下。