[发明专利]一种去除绕镀的方法

说明书

本发明公开了一种去除绕镀的方法，包括：步骤1，对碱制绒后的硅片进行正面硼扩散，形成BSG层；步骤2，对所述硅片进行背面pn结刻蚀后，在所述BSG层表面镀SiON掩膜层；步骤3，将所述硅片置于HF溶液中，去除背面绕镀；步骤4，对所述硅片的背面进行磷扩散，形成PSG层。所述去除绕镀的方法，通过采用SiON掩膜层做掩膜的方法，对正面的BSG层进行保护，使得现有的生产线PECVD设备即可，后期清洗只需要简易的槽式设备，化学试剂为太阳能电池生产常用化学试剂，工艺窗口大，量产型较好，能够完全去除背面绕镀，提高开压和短路电流，提升使得电池的转换效率的同时，不用增加新的设备，增加成本较少。

技术领域

本发明涉及光伏组件制造技术领域，特别是涉及一种去除绕镀的方法。

背景技术

随着技术的不断进步，使得光伏发电等新能源的发电成本不断下降，逐步取代传统化石能源的份额，还能够在应对传统化石能源危机的同时，减少对环境的污染。光伏行业的竞争，主要集中在提高太阳能电池的转换效率和组件功率。

现有的硅片由于具有比P型硅片高的少子寿命，可制作成双面受光的高效率、低衰减的太阳能电池，正在逐渐成为太阳能电池行业关注的焦点。随着太阳能电池结构如N型双面、TOPCon(Tunnel Oxide Passivation Contact；隧道氧化钝化接触)增多以及技术的进步，N型单晶电池在整个市场的份额正逐渐增加。

而在N型电池双面电池制作过程中，都会用到掩膜工艺，而有掩膜就必然会有绕镀膜。N型双面电池制作过程中，因为需要两次扩散，都要用到掩膜工艺，一般首先进行硼扩散，BSG做掩膜，利用刻蚀设备快速去背面的PN结，再进行磷扩散。也有使用浆料旋涂做掩膜。

在快速去背面的PN结时，酸液或者碱液可能漫过硼扩散后的硅片，难以控制对正面BSG进行完整的保留，正面BSG有一定的腐蚀破坏风险，这样就会起不到掩膜作用，严重影响最终电池的效率；旋涂浆料用于掩膜会有后期清洗等污染问题，量产及可行性有待验证。而这两张去除绕镀的方法设计的设备成本较高，进一步推高了光伏组件的成本，不利于提高企业的竞争力。

发明内容

本发明的目的是提供了一种去除绕镀的方法，利用现有的设备以及使用太阳能电池生产过程中的常用试剂彻底去除绕镀，提高光伏电池的开压和短路电流，提高转换效率，增加成本较少，大幅提高了产品的良品率和竞争力。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种去除绕镀的方法，包括：

步骤1，对碱制绒后的硅片进行正面硼扩散，形成BSG层；

步骤2，对所述硅片进行背面pn结刻蚀后，在所述BSG层表面镀SiON掩膜层；

步骤3，将所述硅片置于HF溶液中，去除背面绕镀；

步骤4，对所述硅片的背面进行磷扩散，形成PSG层。

其中，在所述步骤3和所述步骤4之间还包括：

步骤5，将所述硅片置于KOH与H₂O₂的混合溶液或NH₄OH与H₂O₂的混合溶液中。

其中，所述步骤5包括：

将所述硅片置于质量比为1％～2％的KOH与质量比为5％～10％的H₂O₂的混合溶液或质量比为5％～10％的NH4OH与质量比为5％～10％的H2O2的混合溶液中浸泡清洗1min～2min。

其中，在所述步骤4和所述步骤5之间，还包括：

步骤6，将所述硅片置于HF溶液与HCl溶液的混合溶液中浸泡清洗，去除所述硅片表面的K离子。

其中，在所述步骤4和所述步骤5之间，还包括：