[发明专利]一种去除绕镀的方法在审
| 申请号： | 201810293240.3 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108615789A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王东;金井升;刘长明;张昕宇;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 硅片 背面 化学试剂 掩膜层 太阳能电池生产 槽式设备 短路电流 工艺窗口 转换效率 表面镀 碱制绒 磷扩散 硼扩散 刻蚀 量产 掩膜 清洗 电池 简易 | ||
1.一种去除绕镀的方法，其特征在于，包括：
步骤1，对碱制绒后的硅片进行正面硼扩散，形成BSG层；
步骤2，对所述硅片进行背面pn结刻蚀后，在所述BSG层表面镀SiON掩膜层；
步骤3，将所述硅片置于HF溶液中，去除背面绕镀；
步骤4，对所述硅片的背面进行磷扩散，形成PSG层。
2.如权利要求1所述去除绕镀的方法，其特征在于，在所述步骤3和所述步骤4之间还包括：
步骤5，将所述硅片置于KOH与H2O2的混合溶液或NH4OH与H2O2的混合溶液中。
3.如权利要求2所述去除绕镀的方法，其特征在于，所述步骤5包括：
将所述硅片置于质量比为1％～2％的KOH与质量比为5％～10％的H2O2的混合溶液或质量比为5％～10％的NH4OH与质量比为5％～10％的H2O2的混合溶液中浸泡清洗1min～2min。
4.如权利要求3所述去除绕镀的方法，其特征在于，在所述步骤4和所述步骤5之间，还包括：
步骤6，将所述硅片置于HF溶液与HCl溶液的混合溶液中浸泡清洗，去除所述硅片表面的K离子。
5.如权利要求4所述去除绕镀的方法，其特征在于，在所述步骤4和所述步骤5之间，还包括：
步骤6，将所述硅片置于质量比为0.5％～1％的HF溶液与质量比为0.5％～1％的HCl溶液的混合溶液中浸泡清洗，去除所述硅片表面的K离子。
6.如权利要求5所述去除绕镀的方法，其特征在于，所述SiON掩膜层的厚度为120nm～180nm。
7.如权利要求6所述去除绕镀的方法，其特征在于，所述步骤3包括：
将所述硅片置于质量比为5％～20％的HF溶液中浸泡5min～20min，去除背面绕镀。
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