[发明专利]易失性存储器件

说明书

本公开提供了易失性存储器件。一种易失性存储器件可以包括具有垂直侧壁的位线结构。下间隔物可以在垂直侧壁的下部分上，其中下间隔物可以由从垂直侧壁到下间隔物的外侧壁的第一厚度限定。上间隔物可以在垂直侧壁的在该下部分之上的上部分上，其中上间隔物可以由小于第一厚度的第二厚度限定，上间隔物暴露下间隔物的外侧壁的最上部分。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体存储器件。

背景技术

可以减小半导体器件的图案的线宽以提高半导体器件的集成。然而，考虑到这样的线宽所需的曝光技术，会难以提高这样的半导体器件的集成。因此，近来对于新的集成技术进行了各种研究。

发明内容

本发明构思的实施方式可以提供包括分别的上位线间隔物和下位线间隔物的半导体存储器件及其形成方法。

在一些实施方式中，一种易失性存储器件可以包括具有垂直侧壁的位线结构。下间隔物可以在垂直侧壁的下部分上，其中下间隔物可以由从垂直侧壁到下间隔物的外侧壁的第一厚度限定。上间隔物可以在垂直侧壁的在该下部分之上的上部分上，其中上间隔物可以由小于第一厚度的第二厚度限定，上间隔物暴露下间隔物的外侧壁的最上部分。

在一些实施方式中，一种易失性存储器件可以包括位线结构，该位线结构包括堆叠在彼此上的位线接触插塞、位线含金属图案和位线盖图案。存储节点接触插塞可以在与位线结构相邻的存储节点接触孔中，并且下间隔物可以包括第一子间隔物和在第一子间隔物上的第二子间隔物，其中第一子间隔物和第二子间隔物可以具有组合厚度，下间隔物在位线结构的垂直侧壁上以提供存储节点接触孔的侧壁，下间隔物具有包括第一子间隔物和第二子间隔物的相应部分的最上表面。上间隔物可以具有小于该组合厚度的上部厚度，其中上间隔物具有终止在该最上表面处的最下表面以覆盖该最上表面的一部分并暴露该最上表面的剩余部分。

在一些实施方式中，一种易失性存储器件可以包括位线结构，该位线结构包括堆叠在彼此上的位线接触插塞、位线含金属图案和位线盖图案。存储节点接触插塞可以在与位线结构相邻的存储节点接触孔中，并且下间隔物可以包括第一子间隔物和在第一子间隔物上的第二子间隔物，第一子间隔物和第二子间隔物具有组合厚度，下间隔物在位线结构的垂直侧壁上以提供存储节点接触孔的垂直侧壁，下间隔物具有包括第一子间隔物和第二子间隔物的相应部分的最上表面。上间隔物可以具有小于该组合厚度的上部厚度，上间隔物终止在该最上表面处以完全覆盖第一子间隔物和第二子间隔物的相应部分。

在一些实施方式中，一种易失性存储器件可以包括位线结构，该位线结构包括堆叠在彼此上的位线接触插塞、位线含金属图案和位线盖图案。存储节点接触插塞可以在与位线结构相邻的存储节点接触孔中，并且下间隔物可以包括第一子间隔物和在第一子间隔物上的第二子间隔物，下间隔物具有在位线结构的垂直侧壁上的组合厚度以提供存储节点接触孔的垂直侧壁，第一子间隔物相对于第二子间隔物具有凹进表面以在第一子间隔物中提供间隙。上间隔物可以具有小于该组合厚度的第二厚度，上间隔物在位线盖图案上延伸到凹进表面以填充该间隙。

在一些实施方式中，一种易失性存储器件包括具有垂直侧壁的位线结构和与位线结构相邻的存储节点接触插塞。着陆焊盘可以与位线结构相邻且在存储节点接触插塞上，并且下间隔物可以由第一厚度限定以限定存储节点接触插塞的临界尺寸，下间隔物在位线结构的垂直侧壁的下部分上。上间隔物可以由小于第一厚度的第二厚度限定，并且上间隔物是与下间隔物不同的间隔物以限定着陆焊盘的临界尺寸，上间隔物在位线结构的垂直侧壁的在该下部分之上的上部分上。

在一些实施方式中，一种易失性存储器件可以包括位线结构。下间隔物可以限定第一厚度，下间隔物限于位线结构的垂直侧壁的下部分。上间隔物可以限定小于第一厚度的第二厚度，上间隔物限于位线结构的垂直侧壁的在下部分之上的上部分。