[发明专利]易失性存储器件

权利要求书

1.一种易失性存储器件，包括：

位线结构，具有垂直侧壁；

下间隔物，在所述垂直侧壁的下部分上，所述下间隔物由从所述垂直侧壁到所述下间隔物的外侧壁的第一厚度限定，所述下间隔物包括第一子间隔物和在所述第一子间隔物的侧表面上的第二子间隔物；

上间隔物，在所述垂直侧壁的在所述下部分之上的上部分上，所述上间隔物由小于所述第一厚度的第二厚度限定，所述上间隔物暴露所述下间隔物的所述外侧壁的最上部分；以及

内间隔物，在所述垂直侧壁和所述第一子间隔物之间以及在上间隔物和所述垂直侧壁之间延伸，所述上间隔物覆盖所述内间隔物的最上表面。

2.如权利要求1所述的易失性存储器件，还包括：

存储节点接触插塞；和

着陆焊盘，在所述存储节点接触插塞上，其中所述垂直侧壁的所述下部分包括所述存储节点接触插塞的最上表面处的水平面和所述着陆焊盘的最下表面处的水平面。

3.如权利要求1所述的易失性存储器件，其中所述第一厚度独立于所述第二厚度。

4.如权利要求1所述的易失性存储器件，其中所述下间隔物与所述上间隔物被分别形成。

5.如权利要求1所述的易失性存储器件，其中所述第一子间隔物的最上表面被所述上间隔物的最下表面部分地覆盖，以使所述第一子间隔物的所述最上表面的一部分暴露。

6.如权利要求1所述的易失性存储器件，其中所述第一子间隔物的最上表面被所述上间隔物的最下表面完全地覆盖。

7.如权利要求1所述的易失性存储器件，其中所述第一子间隔物的最上表面在所述第二子间隔物的相邻最上表面下面凹进，以在所述垂直侧壁和所述第二子间隔物之间提供凹陷，其中所述上间隔物延伸到所述凹陷中。

8.如权利要求5所述的易失性存储器件，其中所述上间隔物和所述第二子间隔物每个包括硅氮化物，并且所述第一子间隔物包括氧化物或空气间隙。

9.如权利要求8所述的易失性存储器件，其中

所述内间隔物包括硅氮化物。

10.如权利要求1所述的易失性存储器件，其中所述上间隔物不存在于所述下间隔物的所述外侧壁。

11.如权利要求1所述的易失性存储器件，其中所述位线结构包括：

位线接触插塞；

位线含金属图案，在所述位线接触插塞上；和

位线盖图案，在所述位线含金属图案上。

12.一种易失性存储器件，包括：

位线结构，包括堆叠在彼此上的位线接触插塞、位线含金属图案和位线盖图案；

存储节点接触插塞，在与所述位线结构相邻的存储节点接触孔中；

下间隔物，包括第一子间隔物和在所述第一子间隔物的侧表面上的第二子间隔物，所述第一子间隔物和所述第二子间隔物具有组合厚度，所述下间隔物在所述位线结构的垂直侧壁上以提供所述存储节点接触孔的侧壁，所述下间隔物具有包括所述第一子间隔物和所述第二子间隔物的相应部分的最上表面；

上间隔物，具有比所述组合厚度小的上部厚度，所述上间隔物具有终止在所述最上表面处的最下表面以覆盖所述最上表面的一部分并暴露所述最上表面的剩余部分，

内间隔物，在所述垂直侧壁与所述第一子间隔物之间以及在所述上间隔物与所述垂直侧壁之间延伸，以及所述上间隔物覆盖所述内间隔物的最上表面。

13.如权利要求12所述的易失性存储器件，其中所述上部厚度独立于所述组合厚度。

14.如权利要求12所述的易失性存储器件，还包括：

着陆焊盘，在所述存储节点接触插塞上，其中所述下间隔物的最上表面的水平面在所述着陆焊盘的最下表面的水平面之上。