[发明专利]切割用保护膜剂

说明书

本发明提供一种切割用保护膜剂，其使得即便是机械强度较低的被加工物、在利用高能量激光的加工中也不会产生碎屑，并且还能够抑制加工飞边的产生。该切割用保护膜剂是含有水溶性树脂和激光吸收剂的切割用保护膜剂，该激光吸收剂中的至少一种用无机氧化物进行了表面处理。

技术领域

本发明涉及在对半导体晶片等的规定区域照射激光光线而实施规定加工的激光切割中使用的保护膜剂。

背景技术

对于在半导体器件制造工序中形成的晶片，将在硅等半导体基板的表面层合绝缘膜和功能膜而成的层合体利用被称为界道(street)的格子状预置分割线进行划分，被界道划分开的各区域成为IC、LSI等半导体芯片。

通过沿该界道将晶片切断而得到了多个半导体芯片。另外，在光器件晶片中，在蓝宝石基板等的表面层合氮化镓系化合物半导体等而成的层合体被界道划分成多个区域。通过沿该界道进行的切断，光器件晶片被分割成发光二极管、激光二极管等光器件。这些光器件广泛用于电气设备。

以往，这样的沿晶片的界道进行的切断利用被称为切割机的切削装置来进行。但是，在该方法中，由于具有层合结构的晶片为高脆性材料，所以在利用切削刀片(切割刀)将晶片裁切分割成半导体芯片等时，存在如下问题：产生划痕、缺损等，或者形成在芯片表面上的作为电路元件所必需的绝缘膜发生剥离。因此，现在广泛采用如下方法：在利用切削刀片进行切削之前，沿界道照射激光，制成与切削刀片(切割刀)的宽度相对应的沟槽后，利用该刀片进行切削。

然而，沿晶片的界道照射激光时，激光被例如硅基板吸收而转换成热能。由该热能引起硅的熔化、热分解等，从而导致产生硅蒸气等。如此，硅蒸气等冷凝并附着在芯片表面。这样的现象(碎屑)使半导体芯片的品质大幅降低。

为了消除由碎屑带来的问题，在专利文献1、专利文献2中，提出了如下加工方法：在晶片的加工面形成保护膜(该保护膜由含有与激光的波长相对应的光吸收剂的水溶性树脂形成)，隔着该保护膜照射激光。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-150523号公报

专利文献2：日本特开2006-140311号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在上述利用激光的加工中，为了提高生产率并且尽量减少被加工物的热损伤，进行了可实现更高能量的照射的短脉冲激光照射。

另一方面，随着钝化层这样的层间绝缘膜的低介电化，存在被加工物的机械强度下降的倾向。使用该高能量激光的情况下，会产生如下现象：激光使基板发生热分解而产生硅蒸气，同时也破坏照射光斑周边的保护膜。而且，在被破坏而失去保护膜的被加工部位，发生碎屑附着，成为使生产率下降的原因。

另外，高能量激光从保护膜中通过而到达被加工物，结果有时在加工部位产生高的加工飞边。从这方面来看也存在得不到充分的生产率的情况。

本发明的目的在于提供即便在利用高能量激光对机械强度低的被加工物进行加工的情况下也能够抑制钝化膜的层间剥离、碎屑的产生、加工飞边的产生等的切割(dicing)用保护膜剂及使用该切割用保护膜剂的晶片的加工方法。

用于解决课题的手段

本发明的目的通过下述手段来实现。

(1)切割用保护膜剂，其是含有水溶性树脂和激光吸收剂的切割用保护膜剂，该激光吸收剂中的至少一种用无机氧化物进行了表面处理。

(2)如(1)所述的切割用保护膜剂，其中，上述激光吸收剂中的至少一种为用无机氧化物进行了表面处理的氧化钛或氧化锌。