[发明专利]半导体封装

说明书

本发明涉及一种半导体封装，其包含电连接结构。所述电连接结构包含：第一导电层；所述第一传导层上的第二导电层；以及所述第一导电层与所述第二导电层之间的导电盖，所述导电性盖的硬度比所述第一导电层的硬度更大。

技术领域

本发明大体上涉及半导体封装，且更确切地说涉及包含电连接结构的半导体封装，所述电连接结构具有改进剪切强度。

背景技术

铜对铜(Cu对Cu)接合技术可具有避免使用焊接材料或避免形成金属间化合物(IMC)的优势。然而，提高或增强由Cu对Cu接合技术形成的接合结构的接合力具有挑战性。

发明内容

在一些实施例中，具有相对较大硬度的导电盖(或杯)应用于导电层的顶部和侧部或侧面以接合到另一导电层。具有较大硬度的导电盖可在接合层之间的界面中产生改进剪切强度。

在一些实施例中，提供半导体封装。半导体封装包含电连接结构。电连接结构包含：第一导电层；第一传导层上的第二导电层；以及第一导电层与第二导电层之间的导电盖，导电性盖的硬度比第一导电层的硬度更大。

在一些实施例中，提供半导体封装。半导体封装包含：衬底；衬底上的第一导电层，所述第一导电层包含具有第一平均尺寸的晶粒；第一导电层上的第二导电层，所述第二导电层包含具有第二平均尺寸的晶粒；以及顶盖层，其覆盖第一导电层的第一表面和第一导电层的第二表面，所述顶盖层包含具有第三平均尺寸的晶粒；其中第三平均尺寸比第一平均尺寸以及第二平均尺寸更小。

在一些实施例中，提供一种形成电连接结构的方法。方法包含：提供第一导电层；在第一导电层上形成导电盖，导电盖的硬度比第一导电层的硬度更大；以及将第二导电层接合到导电盖。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本发明的各方面。应注意，各种特征可能未按比例绘制，且各种特征的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。

图1是根据本发明的一些实施例的电连接结构的横截面视图。

图2是根据本发明的一些实施例的包含电连接结构的半导体封装的横截面视图。

图3A、图3B和3C是根据本发明的一些实施例的电连接结构的横截面视图。

图4A、图4B、图4C、图4D和图4E示意性地说明用于制造根据本发明的一些实施例的电连接结构的操作。

具体实施方式

在下文详细论述本发明的一些实施例的结构、制造和使用。然而，应了解，一些实施例阐述具有可在各种具体上下文中体现的多个适用的概念。应理解，以下揭示内容提供实施各种实施例的不同特征的许多不同实施例或实例。下文出于论述的目的描述组件和布置的具体实例。当然，这些只是实例且并不意欲为限制性的。

下文使用特定语言揭示图中所说明的一些实施例或实例。然而，将理解，所述实施例和实例并不希望是限制性的。如相关领域的普通技术人员通常将想到，所揭示的实施例中的一些的任何变更和修改以及本文件中所揭示的原理的任何进一步应用属于本发明的范围。

另外，应理解，可简要地描述设备的若干处理阶段(例如，操作)和/或特征。另外，在实施本文所描述的方法时或在使用本文中所描述的系统和设备时，可添加额外处理阶段和/或特征，且可移除或改变本文中所描述的某些处理阶段和/或特征。因此，以下描述应理解为表示实例，且并不希望指示每一实施方案包含一或多个阶段或特征。

此外，本发明可在各种实例中重复参考标号和/或字母。这种重复是出于简化和清楚的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。