[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种电连接结构，其包括：

第一导电层；

第二导电层；以及

所述第一导电层与所述第二导电层之间的导电盖，所述导电盖的硬度比所述第一导电层的硬度更大。

2.根据权利要求1所述的电连接结构，其中所述导电盖的所述硬度比所述第二导电层的硬度更大。

3.根据权利要求1所述的电连接结构，其中所述导电盖的所述硬度是至少约1GPa。

4.根据权利要求3所述的电连接结构，其中所述导电盖的所述硬度是至多约3.5GPa。

5.根据权利要求4所述的电连接结构，其中所述导电盖的所述硬度介于约1.2GPa到约3.1GPa范围内。

6.根据权利要求1所述的电连接结构，其中所述导电盖覆盖所述第一导电层的第一表面和所述第一导电层的第二表面，且所述第一表面相对于所述第二表面成非零角度定向。

7.根据权利要求6所述的电连接结构，其中所述导电盖是保形地形成于所述第一导电层的所述第一表面和所述第二表面上的导电膜。

8.根据权利要求7所述的电连接结构，其中所述导电膜的厚度是至少约0.1μm。

9.根据权利要求7所述的电连接结构，其中所述导电膜的厚度是至少约1μm。

10.一种半导体封装，其包括：

衬底；

衬底上的第一导电层，所述第一导电层包含具有第一平均尺寸的晶粒；

第一导电层上的第二导电层，所述第二导电层包含具有第二平均尺寸的晶粒；以及

顶盖层，其覆盖所述第一导电层的第一表面和所述第一导电层的第二表面，所述顶盖层包括具有第三平均尺寸的晶粒，

其中所述第三平均尺寸比所述第一平均尺寸以及所述第二平均尺寸更小。

11.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述第一平均尺寸与所述第二平均尺寸大体上相同。

12.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述第一平均尺寸不同于所述第二平均尺寸。

13.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述第一导电层、所述第二导电层和所述顶盖层包含相同元素组成。

14.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述第一导电层、所述第二导电层和所述顶盖层包含相同金属。

15.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述第一导电层、所述第二导电层和所述顶盖层各自包含铜。

16.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述第一导电层的所述第一表面相对于所述第一导电层的所述第二表面成非零角度定向。

17.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述第一导电层的所述第一表面大体上垂直于所述第一导电层的所述第二表面。

18.一种形成电连接结构的方法，其包括：

提供第一导电层；

在所述第一导电层上形成导电盖，所述导电盖的硬度比所述第一导电层的硬度更大；以及

将第二导电层接合到所述导电盖。

19.根据权利要求18所述的方法，其中在所述第一导电层上形成所述导电盖包含将铜膜电镀在所述第一导电层上。

20.根据权利要求18所述的方法，其中将所述第二导电层接合到所述导电盖是在温度介于约200℃到约250℃范围内且压力介于约15MPa到约20MPa范围内条件下进行。