[发明专利]高压半导体装置及其制造方法

说明书

本发明提出了一种高压半导体装置及其制造方法。上述方法包含提供基底，其具有第一导电型态。上述方法亦包含执行第一离子注入制程，以形成第一掺杂区于基底内。第一掺杂区具有与第一导电型态不同的第二导电型态。上述方法更包含形成第一磊晶层于基底上。此外，上述方法包含执行第二离子注入制程，形成第二掺杂区于第一磊晶层内，第二掺杂区具有第二导电型态。第一掺杂区与第二掺杂区直接接触。

技术领域

本发明关于高压半导体装置，特别是一种具有埋置层的高压半导体装置及其制造方法。

背景技术

高压半导体装置技术适用于高电压与高功率的集成电路领域。传统高压半导体装置，例如垂直式扩散金属氧化物半导体(vertically diffused metal oxidesemiconductor,VDMOS)晶体管及水平扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metaloxide semiconductor,LDMOS)晶体管，主要用于18V以上的元件应用领域。高压装置技术的优点在于符合成本效益，且易相容于其它制程，已广泛应用于显示器驱动IC元件、电源供应器、电力管理、通信、车用电子或工业控制等领域中。

然而，随集成电路的整合密度提升，现在的制程并无法在每一方面都令人满意。因此，有必要寻求一种新的高压半导体装置结构的制造方法以解决上述的问题。

发明内容

本发明的一些实施例关于高压半导体装置的制造方法。上述方法包含提供基底，其具有第一导电型态。上述方法亦包含执行第一离子注入制程，以形成第一掺杂区于基底内。第一掺杂区具有与第一导电型态不同的第二导电型态。上述方法更包含形成第一磊晶层于基底上。此外，上述方法包含执行第二离子注入制程，形成第二掺杂区于第一磊晶层内，第二掺杂区具有第二导电型态。第一掺杂区与第二掺杂区直接接触。

本发明的一些实施例关于高压半导体装置。上述高压半导体装置包含基底，其具有第一导电型态。上述高压半导体装置亦包含磊晶层，其设置于基底上。上述高压半导体装置更包含埋置层，其设置于基底及磊晶层内，埋置层具有不同于第一导电型态的第二导电型态。此外，上述高压半导体装置包含第一高压阱，设置于磊晶层内，第一高压阱具有第一导电型态。上述高压半导体装置包含第二高压阱，其设置于磊晶层内并与第一高压阱相邻，第二高压阱具有第二导电型态。上述高压半导体装置亦包含栅极结构，其设置于磊晶层上。上述高压半导体装置更包含以及源极区及漏极区，分别设置于第一高压阱及第二高压阱内，且位于栅极结构的相对两侧。沿着由磊晶层朝向基底的方向，埋置层的掺杂浓度的分布具有一局部低点。

本发明的有益效果在于，利用上述方法可以形成厚度较厚且浓度较浓的埋置层。另外，相较于使用SOG(spin on glass)制程形成埋置层，利用两次分开的离子注入制程形成埋置层可以降低成本，并且不需要额外的机台设备。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1A-图1H为根据一些实施例，形成高压半导体装置的各阶段的制程的剖面示意图。

图2为根据一些实施例，形成高压半导体装置的其中一阶段的制程的剖面示意图。

图3为根据一些实施例，高压半导体装置的埋置层的掺杂浓度的分布图。

附图标号：

100 高压半导体装置；

110 基底；

120 第一离子注入制程；

130 第一掺杂区；

130’ 第一掺杂区；