[发明专利]高压半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种高压半导体装置的制造方法，其特征在于，包括:

提供一基底，其具有一第一导电型态；

执行一第一离子注入制程，形成一第一掺杂区于该基底内，该第一掺杂区具有与该第一导电型态不同的一第二导电型态；

形成一第一磊晶层于该基底上；以及

执行一第二离子注入制程，形成一第二掺杂区于该第一磊晶层内，该第二掺杂区具有该第二导电型态；

其中该第一掺杂区与该第二掺杂区直接接触。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，更包括：

形成一第二磊晶层于该第一磊晶层上。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该第一磊晶层具有一第一厚度，该第二磊晶层具有大于该第一厚度的一第二厚度。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，更包括：

形成该第一磊晶层前，执行一第一热制程，使该第一掺杂区扩散。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，更包括：

执行该第二离子注入制程后，执行一退火制程，使第一掺杂区及第二掺杂区扩散。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一掺杂区及该第二掺杂区形成一埋置层，该埋置层的一掺杂浓度介于约10¹⁷cm^-3至约10¹⁹cm^-3的范围间。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该埋置层的掺杂质包括锑。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，沿着由该第一磊晶层朝向该基底的一方向，该埋置层的该掺杂浓度的分布具有一局部低点。

9.一种高压半导体装置，其特征在于，包括:

一基底，具有一第一导电型态；

一磊晶层，设置于该基底上；

一埋置层，设置于该基底及该磊晶层内，该埋置层具有不同于该第一导电型态的一第二导电型态；

一第一高压阱，设置于该磊晶层内，该第一高压阱具有该第一导电型态；

一第二高压阱，设置于该磊晶层内并与该第一高压阱相邻，该第二高压阱具有该第二导电型态；

一栅极结构，设置于该磊晶层上；以及

一源极区及一漏极区，分别设置于该第一高压阱及该第二高压阱内，且位于该栅极结构的相对两侧；

其中，沿着由该磊晶层朝向该基底的一方向，该埋置层的一掺杂浓度的分布具有一局部低点。

10.如权利要求9所述的高压半导体装置，其特征在于，该磊晶层包括：

一第一磊晶层；以及

一第二磊晶层，设置于该第一磊晶层上；

其中该埋置层形成在该第一磊晶层及该基底内。

11.如权利要求10所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一磊晶层与该第二磊晶层之间具有界线。

12.如权利要求10所述的高压半导体装置，其特征在于，该埋置层更形成在该第二磊晶层内。

13.如权利要求10所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一磊晶层具有一第一厚度，该第二磊晶层具有大于该第一厚度的一第二厚度。

14.如权利要求9所述的高压半导体装置，其特征在于，该掺杂区的一厚度介于约3μm至约6.5μm的范围间。

15.如权利要求9所述的高压半导体装置，其特征在于，该埋置层的该掺杂浓度介于约10¹⁷cm^-3至约10¹⁹cm^-3的范围间。