[发明专利]半导体装置、液体排出头基板、液体排出头和装置有效
申请号: | 201810274649.0 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN108695330B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 藤井一成;矶田尚希;根岸俊雄;远藤航 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H10B20/25 | 分类号: | H10B20/25;B41J29/38 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 周博俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 液体 出头 | ||
一种半导体装置、液体排出头基板、液体排出头和装置。该装置包括:基板;晶体管,设置在基板上,并连接到被供应有第一电压的第一端子;反熔丝元件,设置在基板上并连接在晶体管与被供应有第二电压的第二端子之间;第一电阻元件,设置在基板上,且与反熔丝元件并联连接在晶体管和第二端子之间;以及调整单元,设置在基板上,且被配置为用于减少在从反熔丝元件读出信息时第一电阻元件的电阻变化的影响。
技术领域
本发明的一个方面涉及一种包括反熔丝元件的半导体装置、液体排出头基板、液体排出头或液体排出装置。
背景技术
在近年来,用于在制造产品之后记录诸如芯片标识符或设置参数之类的产品特定信息的一次可编程(OTP)存储器用于半导体装置中。OTP存储器有两种:使用熔丝元件的OTP存储器和使用反熔丝元件的OTP存储器。在例如日本专利公开第2014-58130号中公开了使用反熔丝元件的技术。
发明内容
实施例的一个方面提供了一种半导体装置,所述半导体装置包括:半导体基板;晶体管,设置在半导体基板上,并连接到被供应有第一电压的第一端子;反熔丝元件,设置在半导体基板上并连接在晶体管与被供应有第二电压的第二端子之间;第一电阻元件,设置在半导体基板上,且与反熔丝元件并联连接在晶体管和第二端子之间;以及电流供应单元,包括设置在半导体基板上的电流供应晶体管,电流供应单元被配置为向反熔丝元件和第一电阻元件供应电流。
实施例的另一个方面提供了一种半导体装置,所述半导体装置包括:半导体基板;晶体管,设置在半导体基板上,并连接到被供应有第一电压的第一端子;反熔丝元件,设置在半导体基板上并连接在晶体管与被供应有第二电压的第二端子之间;第一电阻元件,设置在半导体基板上,且与反熔丝元件并联连接在晶体管和第二端子之间;第三端子,设置在半导体基板上,外部电流被供应给第三端子;以及第二电阻元件,连接在第三端子和第二端子之间。
实施例的另一个方面提供了一种半导体装置,所述半导体装置包括:半导体基板;晶体管,设置在半导体基板上,并连接到被供应有第一电压的第一端子;反熔丝元件,设置在半导体基板上并连接在晶体管与被供应有第二电压的第二端子之间;第一电阻元件,设置在半导体基板上,且与反熔丝元件并联连接在晶体管和第二端子之间;以及调整单元,设置在半导体基板上,且被配置为用于减少在从反熔丝元件读出信息时第一电阻元件的电阻变化的影响。
根据下面参照附图对示例性实施例的描述,本公开的另外的特征将变得清楚。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的半导体装置的示例性电路配置的电路图。
图2是用于描述根据第二实施例的半导体装置的一部分的截面图。
图3是示出根据第三实施例的半导体装置的示例性电路配置的一部分的电路图。
图4示出根据第四实施例的液体排出头基板的示例性电路配置。
图5A至图5D是用于描述液体排出头和液体排出装置的示例的图。
图6是用于描述液体排出头的示例的概念图。
图7是示出根据第五实施例的半导体装置的示例性电路配置的电路图。
图8是示出根据第六实施例的半导体装置的示例性电路配置的电路图。
图9是示出根据第七实施例的半导体装置的示例性电路配置的电路图。
具体实施方式
第一实施例
由于与反熔丝存储器元件并联连接的电阻器的电阻值的制造变化以及与由环境或印刷条件引起的温度变化相关联的变化,可能会发生读取错误。本公开的一些实施例可以减少读取错误。
图1是示出根据第一实施例的半导体装置的示例性电路配置的电路图。图1中示出了信息写入反熔丝元件之前的状态。
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