[发明专利]半导体装置、液体排出头基板、液体排出头和装置有效

专利信息
申请号: 201810274649.0 申请日: 2018-03-30
公开(公告)号: CN108695330B 公开(公告)日: 2023-04-25
发明(设计)人: 藤井一成;矶田尚希;根岸俊雄;远藤航 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H10B20/25 分类号: H10B20/25;B41J29/38
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 周博俊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 液体 出头
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

半导体基板;

晶体管,设置在半导体基板上,并连接到被供应有第一电压的第一端子;

反熔丝元件,设置在半导体基板上并连接在晶体管与被供应有第二电压的第二端子之间;

第一电阻元件,设置在半导体基板上,并且与反熔丝元件并联连接在晶体管和第二端子之间;以及

电流供应单元,包括设置在半导体基板上的电流供应晶体管,电流供应单元被配置为向反熔丝元件和第一电阻元件供应电流,

其中该电流减少由第一电阻元件的特性变化导致的第一电阻元件的两个端子之间的电压变化。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,

其中,电流供应单元连接到第二端子,并且

其中,第二电阻元件经由电流供应单元连接到第二端子,电流供应单元设置在第二电阻元件和第二端子之间。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,

其中,第一电阻元件和第二电阻元件分别由扩散电阻器形成。

4.根据权利要求2所述的半导体装置,

其中,电流供应晶体管包括构成电流镜电路的第一晶体管和第二晶体管,

其中,外部电压被施加到第一晶体管的源极和第二晶体管的源极,

其中,第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极连接到第一晶体管的漏极,

其中,第一晶体管的漏极经由第二电阻元件连接到被供应有第一电压的端子,所述第二电阻元件插入第一晶体管的漏极和所述被供应有第一电压的端子之间,并且

其中,第二晶体管的漏极连接到第二端子。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括:

连接在电流供应单元和第二端子之间的开关。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,

其中,开关被配置为被控制为在将信息写入到反熔丝元件中时处于断开状态,并且在从反熔丝元件读出信息时处于接通状态。

7.根据权利要求1所述的半导体装置,

其中,电流供应单元连接在第一端子和晶体管之间。

8.根据权利要求7所述的半导体装置,

其中,当反熔丝元件处于导通状态时,晶体管在饱和区域中操作,以及

其中,当反熔丝元件处于非导通状态时,晶体管在线性区域中操作。

9.根据权利要求7所述的半导体装置,

其中,电流供应单元被配置为在将信息写入到反熔丝元件中时供应第一电流量,并且在从反熔丝元件读出信息时供应第二电流量,并且

其中,第一电流量大于第二电流量。

10.根据权利要求7所述的半导体装置,

其中,电流供应晶体管被配置为使得:电流供应晶体管供应的电流量根据施加到电流供应晶体管的栅极的电压来被控制。

11.一种半导体装置,其特征在于,包括:

半导体基板;

晶体管,设置在半导体基板上,并连接到被供应有第一电压的第一端子;

反熔丝元件,设置在半导体基板上并连接在晶体管与被供应有第二电压的第二端子之间;

第一电阻元件,设置在半导体基板上,并且与反熔丝元件并联连接在晶体管和第二端子之间;以及

调整单元,设置在半导体基板上,并且被配置为用于使得减少在从反熔丝元件读出信息时第一电阻元件的电阻变化的影响,

其中调整单元被配置为供应电流以减少由第一电阻元件的特性变化导致的第一电阻元件的两个端子之间的电压变化。

12.根据权利要求11所述的半导体装置,

其中,调整单元包括电流供应单元,电流供应单元包括设置在半导体基板上的电流供应晶体管并且向反熔丝元件和第一电阻元件供应电流。

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