[发明专利]阵列基板及其制作方法有效
申请号: | 201810271131.1 | 申请日: | 2018-03-29 |
公开(公告)号: | CN108490709B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 杨昆 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;武岑飞 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 | ||
本发明提供了一种阵列基板,其包括:多条扫描线和多条数据线,所述扫描线和所述数据线交叉设置,以限定出多个像素区;多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置于对应的所述像素区内,所述薄膜晶体管分别与对应的所述扫描线和所述数据线连接;多个电极层,所述电极层设置于对应相邻的两个所述薄膜晶体管之间,所述电极层与对应的所述扫描线至少部分重叠且电绝缘。本发明在形成薄膜晶体管的半导体层的同时还形成与扫描线重叠的电极层,如此电极层与扫描线形成具备一定存储电荷能力的电容器,这样该电容器可以存储制程中产生的静电,从而有效降低静电积累,从而避免扫描线和半导体层之间形成微短路,提高抗静电能力,进而提升产品的良率和器件的可靠性。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体地讲,涉及一种阵列基板及其制作方法。
背景技术
随着光电与半导体技术的演进,也带动了平板显示器(Flat Panel Display)的蓬勃发展,而在诸多平板显示器中,液晶显示器(Liquid Crystal Display,简称LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性,已成为市场的主流。
目前,作为LCD的开关元件而广泛采用的是非晶硅薄膜三极管(a-Si TFT),但a-SiTFT LCD在满足薄型、轻量、高精细度、高亮度、高可靠性、低功耗等要求仍受到限制。低温多晶硅(Lower Temperature Polycrystal Silicon,LTPS)TFT LCD与a-Si TFT LCD相比,在满足上述要求方面,具有明显优势。
在目前的LTPS TFT中,扫描线和有源层(或称半导体层)之间具有栅极绝缘层。然而,由于栅极绝缘层厚度较薄,其抗制程静电能力较弱,因此在LTPS TFT的后续制程中静电释放容易导致扫描线和有源层之间形成微短路,从而导致面板在点灯时新增加点、线类缺陷,进而降低产品良率。
发明内容
为解决上述现有技术中存在的技术问题,本发明的目的在于提供一种能够避免扫描线和有源层之间形成微短路的阵列基板及其制作方法。
根据本发明的一方面,提供了一种阵列基板,其包括:多条扫描线和多条数据线,所述扫描线和所述数据线交叉设置,以限定出多个像素区;多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置于对应的所述像素区内,并且所述薄膜晶体管分别与对应的所述扫描线和所述数据线连接;多个电极层,所述电极层设置于对应相邻的两个所述薄膜晶体管之间,并且所述电极层与对应的所述扫描线至少部分重叠且电绝缘。
进一步地,所述电极层与所述薄膜晶体管的半导体层位于同一层。
根据本发明的另一方面,还提供了一种阵列基板,其包括:基板;多个半导体层,设置于所述基板上;多个电极层,设置于所述基板上,并且所述电极层设置于对应相邻的两个所述半导体层之间;第一绝缘层,设置于所述多个半导体层和所述多个电极层上;多个栅极和多条扫描线,设置于所述第一绝缘层上,所述栅极与对应的所述扫描线连接且与对应的所述半导体层相对,所述电极层与对应的所述扫描线至少部分重叠;第二绝缘层,设置于所述多个栅极和所述多条扫描线上;多个源极、多个漏极和多条数据线,设置于所述第二绝缘层上,所述源极和对应的所述数据线连接,所述源极和所述漏极贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层,以与对应的所述半导体层接触。
根据本发明的又一方面,又提供了一种阵列基板的制作方法,其包括:在基板上同时制作形成多个半导体层和多个电极层,所述电极层设置于对应相邻的两个所述半导体层之间;在所述多个半导体层和所述多个电极层上制作形成第一绝缘层;在所述第一绝缘层上制作形成多个栅极和多条扫描线,所述栅极与对应的所述扫描线连接且与对应的所述半导体层相对,所述电极层与对应的所述扫描线至少部分重叠;在所述多个栅极和所述多条扫描线上制作形成第二绝缘层;在所述第二绝缘层上制作形成多个源极、多个漏极和多条数据线,所述源极和对应的所述数据线连接,所述源极和所述漏极贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层,以与对应的所述半导体层接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810271131.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。