[发明专利]阵列基板及其制作方法有效
| 申请号： | 201810271131.1 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108490709B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 杨昆 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 | ||
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
多个半导体层，设置于所述基板上；
多个电极层，设置于所述基板上，并且所述电极层设置于对应相邻的两个所述半导体层之间；
第一绝缘层，设置于所述多个半导体层和所述多个电极层上；
多个栅极和多条扫描线，设置于所述第一绝缘层上，所述栅极与对应的所述扫描线连接且与对应的所述半导体层相对，所述电极层与对应的所述扫描线至少部分重叠；
第二绝缘层，设置于所述多个栅极和所述多条扫描线上；
多个源极、多个漏极和多条数据线，设置于所述第二绝缘层上，所述源极和对应的所述数据线连接，所述源极和所述漏极贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，以与对应的所述半导体层接触。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电极层在其对应的所述扫描线上的投影位于其对应的所述扫描线以内。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电极层与所述薄膜晶体管的半导体层均采用多晶硅制成。
4.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上同时制作形成多个半导体层和多个电极层，所述电极层设置于对应相邻的两个所述半导体层之间；
在所述多个半导体层和所述多个电极层上制作形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上制作形成多个栅极和多条扫描线，所述栅极与对应的所述扫描线连接且与对应的所述半导体层相对，所述电极层与对应的所述扫描线至少部分重叠；
在所述多个栅极和所述多条扫描线上制作形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上制作形成多个源极、多个漏极和多条数据线，所述源极和对应的所述数据线连接，所述源极和所述漏极贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，以与对应的所述半导体层接触。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述电极层在其对应的所述扫描线上的投影位于其对应的所述扫描线以内。
6.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，利用多晶硅在所述基板上同时制作形成多个半导体层和多个电极层。
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