[发明专利]双大马士革工艺方法

权利要求书

1.一种双大马士革工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有底层金属层，所述底层金属层之间隔离有底层介质膜；

步骤二、形成NDC层，对所述NDC层的厚度做如下设置：

所述NDC层的厚度大于作为所述底层金属层向上扩散的阻挡层所需的第一厚度；

所述NDC层的厚度在第一厚度的基础上增加且增加后的第二厚度大于后续第一次刻蚀和第二次刻蚀过程中消耗的厚度；

步骤三、在所述NDC层的表面依次形成第一层间膜、沟槽刻蚀停止层和第二层间膜；

步骤四、进行第一次光刻工艺形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形定义出通孔的形成区域，以所述第一光刻胶图形为掩膜依次对所述第二层间膜、所述沟槽刻蚀停止层和所述第一层间膜进行第一次刻蚀形成所述通孔，所述通孔的底部位于对应的所述底部金属层上；

步骤五、去除所述第一光刻胶图形，进行第二次光刻工艺形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形定义出所述顶层金属层沟槽的形成区域，以所述第二光刻胶图形为掩膜以及以所述沟槽刻蚀停止层为停止层对所述第二层间膜进行第二次刻蚀得到所述顶层金属层沟槽；所述通孔位于所述顶层金属层沟槽的底部，所述NDC层的厚度在所述一次刻蚀中和所述第二次刻蚀中会被消耗且消耗的厚度小于所述第二厚度使所述第二次刻蚀完成后所述通孔的底部依然保留有部分厚度的所述NDC层；

步骤六、去除所述通孔底部保留的所述NDC层并将对应的所述底部金属层暴露，形成由所述通孔和所述顶层金属层沟槽叠加而成的双大马士革结构。

2.如权利要求1所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。

3.如权利要求1所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述底层金属层的材料为铜。

4.如权利要求1所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：步骤四中在形成所述第一光刻胶图形之前还包括在所述第二层间膜的表面形成DARC层的步骤；所述DARC层在所述第一光刻胶图形去除之后去除。

5.如权利要求4所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述DARC层的材料为SiON。

6.如权利要求1所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述第一层间膜的材料为氧化膜。

7.如权利要求6所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述第一层间膜采用PECVD工艺形成。

8.如权利要求1所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述第二层间膜的材料为氧化膜。

9.如权利要求8所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述第二层间膜采用PECVD工艺形成。

10.如权利要求1所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述沟槽刻蚀停止层的材料为氮化硅。

11.如权利要求10所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述沟槽刻蚀停止层的厚度为

12.如权利要求6所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述第一层间膜的厚度为

13.如权利要求8所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述第二层间膜的厚度为

14.如权利要求1所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述第一厚度为所述第二厚度为

15.如权利要求1所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：步骤六之后还包括在所述双大马士革结构填充金属同时形成所述通孔金属和顶部金属层，所述通孔金属实现所述顶部金属层和所述底部金属层之间的连接。