[发明专利]中介层及电性元件并于基底板中的线路板制法

说明书

本发明的线路板包含有被基底板及介电层侧向环绕且连接至路由电路的中介层及电性元件。该中介层及该电性元件分别插置于基底板的第一贯穿开口及第二贯穿开口中。该介电层覆盖基底板顶侧及电性元件顶面，并填入中介层与基底板间以及电性元件与基底板间的间隙。该路由电路沉积于该介电层上，并电性连接至电性元件及基底板的顶部线路层。

技术领域

本发明涉及一种线路板的制作方法，尤其涉及一种设有中介层、电性元件及基底板的线路板制法。

背景技术

高速半导体组件(如多芯片模块)通常需使用高效能线路板，以使信号互连。然而，当功率增加时，半导体芯片所产生的大量热将使元件效能劣化，且亦会对芯片造成热应力。据此，由于陶瓷材料(如氧化铝或氮化铝)为导热且电绝缘的材料，并具有低热膨胀系数(CTE)，故常被视为此类应用的合适材料。美国专利案号8,895,998及7,670,872已揭露各种线路板，其使用陶瓷作为芯片接置垫材料，以达到较佳的可靠度。然而，由于所述线路板中未设有如电容、解耦电容或电阻等电性元件，因而导致电效能受限。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种电性元件及中介层并于基底板中的线路板制法。该制法包含有将介电层形成于基底板上并使介电层表面与中介层表面齐平的步骤，故可补偿中介层与基底板间的厚度落差。此外，介电材料亦可覆盖电性元件，并填入基底板与中介层间以及基底板与电性元件间的空隙，故该介电层可将中介层、电性元件及基底板机械性地接合在一起。

本发明的另一目的在于提供一种电性元件电性连接至基底板的线路板制法。该制法包含有沉积路由电路的步骤，其中路由电路侧向延伸于介电层上，并延伸穿过介电层，以形成与基底板接触的金属化盲孔，且路由电路亦电性连接至电性元件。该路由电路还可侧向延伸至中介层顶面，并提供电性元件与中介层内建电路间的电性连接。

依据上述及其他目的，本发明提供一种线路板的制作方法，其包括下述步骤：提供一基底板，其具有一顶侧、一底侧、一第一贯穿开口、一第二贯穿开口、及位于该顶侧的一顶部线路层，其中每一该第一贯穿开口及该第二贯穿开口具有自该顶侧延伸至该底侧的内侧壁；将一中介层插入该基底板的该第一贯穿开口中，并将一电性元件插入该基底板的该第二贯穿开口中，其中该中介层包含一陶瓷块；形成一介电层于该电性元件的一顶面上、该基底板的该顶侧上、该中介层的外围边缘与该第一贯穿开口的所述内侧壁间的间隙中、及该电性元件的外围边缘与该第二贯穿开口的所述内侧壁间的间隙中；以及形成一路由电路于该介电层的一顶面上，且该路由电路电性连接至该电性元件，并通过金属化盲孔电性连接至该基底板。

除非特别描述或必须依序发生的步骤，上述步骤的顺序并无限制于以上所列，且可根据所需设计而变化或重新安排。

据此，本发明提供一种线路板，其包括：一基底板，其包含一顶侧、一底侧、一第一贯穿开口、一第二贯穿开口、及位于该顶侧的一顶部线路层，其中每一该第一贯穿开口及该第二贯穿开口具有自该顶侧延伸至该底侧的内侧壁；一中介层，其设置于该基底板的该第一贯穿开口中，其中该中介层包含一陶瓷块；一电性元件，其设置于该基底板的该第二贯穿开口中；一介电层，其覆盖该电性元件的一顶面上及该基底板的该顶侧，并延伸进入该中介层的外围边缘与该第一贯穿开口的所述内侧壁间的间隙、及该电性元件的外围边缘与该第二贯穿开口的所述内侧壁间的间隙；以及一路由电路，其设置于该介电层的一顶面上，并电性连接至该电性元件，且通过金属化盲孔电性连接至该基底板。此外，本发明亦提供一种半导体组件，其包含有一半导体元件接置于上述线路板的中介层顶面上，且半导体元件电性连接至该路由电路。