[发明专利]清洗副产物去除方法、反应室内清洁方法及室温成膜装置

说明书

本发明的目的在于提供一种高效地去除由于清洁而作为副产物生成的氟硅酸铵的清洗副产物去除方法、反应室内清洁方法及室温成膜装置。在去除对不具有加热单元的室温成膜装置的反应室内进行清洁时作为副产物生成的氟硅酸铵的清洗副产物去除方法中具有以下工序：将清洁后的所述反应室内的压力升压到规定压力的工序；向所述反应室内供给被加热到规定温度的氮气来对所述反应室内吹扫规定时间的工序，所述规定温度为所述氟硅酸铵在所述规定压力下升华的温度以上的温度；以及对所述反应室内进行排气的工序。

技术领域

本发明涉及一种清洗副产物去除方法和利用该方法的反应室内清洁方法以及室温成膜装置。

背景技术

以往以来，已知一种室温成膜装置的清洗方法，将附着在室温成膜装置的装置内部的附着物去除，该室温成膜装置对收纳于反应室内的被处理体供给处理气体来在被处理体形成薄膜(例如参照专利文献1)。在所述专利文献1所记载的清洗方法中具有如下的工序来进行室温成膜装置的清洗：向反应室供给包含氟化氢的清洁气体来去除附着于装置内部的附着物的清洗工序；以及利用等离子体来去除由于清洗工序附着于装置内部的氟硅化物的去除工序。根据所述专利文献1所记载的清洗方法，通过使用等离子体能够高效地清洗室温成膜装置。

专利文献1：日本特开2014-68045号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在专利文献1中记载的使用等离子体去除氟硅化物的方法中，去除不充分的情况较多。氟硅化物尤其是氟硅酸铵成为微粒产生源，对高品质的成膜带来不利影响的情况较多。

因此，本发明的目的在于提供一种高效地去除由于清洁而作为副产物生成的氟硅酸铵的清洗副产物去除方法和利用该方法的反应室内清洁方法以及室温成膜装置。

用于解决问题的方案

为了达成上述目的，本发明的一个方式所涉及的清洗副产物去除方法去除对不具有加热单元的室温成膜装置的反应室内进行清洁时作为副产物生成的氟硅酸铵，所述去除方法具有以下工序：将清洁后的所述反应室内的压力升压到规定压力的工序；向所述反应室内供给被加热到规定温度的氮气来对所述反应室内吹扫规定时间的工序，所述规定温度为所述氟硅酸铵在该规定压力下升华的温度以上的温度；以及对所述反应室内进行排气的工序。

发明的效果

根据本发明，能够高效地去除附着于反应室内的氟硅酸铵。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式所涉及的室温成膜装置的结构的图。

图2是表示本发明的实施方式的室温成膜装置的水平截面结构的图。

图3是表示本发明的实施方式的室温成膜装置的控制部的结构的图。

图4是表示氧化硅膜的成膜方法的一例的图。

图5是表示本发明的实施方式所涉及的副产物去除方法和反应管的清洗方法的序列的一例的图。

图6是表示氟硅酸铵的蒸气压曲线的图。

图7是表示本发明的实施方式所涉及的清洗副产物去除方法的后半的序列的一例的图。

附图标记说明

10：室温成膜装置；20：反应管；30：排气部；40：排气口；50：盖体；60：晶圆舟；70：等离子体产生部；71：电极；80、90；处理气体供给管；100：气体切换部；110：氧气供给源；120：气化器；130：氮气供给源；200：控制部。

具体实施方式