[发明专利]清洗副产物去除方法、反应室内清洁方法及室温成膜装置

权利要求书

1.一种清洗副产物去除方法，去除对不具有加热单元的室温成膜装置的反应室内进行清洁时作为副产物生成的氟硅酸铵，所述去除方法具有以下工序：

将清洁后的所述反应室内的压力升压到规定压力的工序；

向所述反应室内供给被加热到规定温度的氮气来对所述反应室内吹扫规定时间的工序，所述规定温度为所述氟硅酸铵在该规定压力下升华的温度以上的温度；以及

对所述反应室内进行排气的工序。

2.根据权利要求1所述的清洗副产物去除方法，其特征在于，

所述规定温度为300℃以上的温度。

3.根据权利要求1或2所述的清洗副产物去除方法，其特征在于，

所述规定时间为5分钟～10分钟的范围内的规定时间。

4.根据权利要求1或2所述的清洗副产物去除方法，其特征在于，

所述规定压力为大气压的一半以上的压力。

5.根据权利要求1或2所述的清洗副产物去除方法，其特征在于，

在对所述反应室内排气的工序中，所述反应室内的压力被设定为小于1330Pa。

6.根据权利要求1或2所述的清洗副产物去除方法，其特征在于，

所述氮气在被设置于所述反应室外的气化器加热后被供给到所述反应室内。

7.一种反应室内清洁方法，为不具有加热单元的室温成膜装置的反应室内的清洁方法，所述清洁方法具有以下工序：

使用氟化氢来对所述反应室内进行清洁的清洁工序；

使用被等离子体活化的氧气来将在该清洁工序中作为副产物生成的氟硅酸铵氧化的工序；

将所述反应室内的压力升压到规定压力的工序；

将被加热到规定温度的氮气供给到所述反应室内来对所述反应室内吹扫规定时间的工序，所述规定温度为所述氟硅酸铵在该规定压力下升华的温度以上的温度；以及

对所述反应室内进行排气的工序。

8.一种室温成膜装置，不具有加热单元，所述室温成膜装置具有：

反应室；

第一喷射器，其向该反应室内供给清洁气体；

第二喷射器，其向所述反应室内供给氮气；

排气单元，其对所述反应室内进行排气；

气化器，其设置于所述反应室外，并且对所述氮气进行加热；以及

控制单元，

该控制单元执行以下工序：

使所述第一喷射器向所述反应室内供给所述清洁气体的清洁工序；

控制所述排气单元来将所述反应室内的压力升压到规定压力的工序；

控制所述气化器来将所述氮气加热到规定温度的工序，所述规定温度为在所述清洁工序中作为副产物生成的氟硅酸铵在所述规定压力下升华的温度以上的温度；

使所述第二喷射器向所述反应室内供给被加热到所述规定温度的所述氮气，并且对所述反应室内吹扫规定时间的工序；以及

控制所述排气单元来对所述反应室内进行排气的工序。