[发明专利]集成电路装置有效

专利信息
申请号: 201810254456.9 申请日: 2018-03-26
公开(公告)号: CN109390337B 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 李俊坤;富田隆治;金哲性;玄尚镇 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/088 分类号: H01L27/088
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 刘培培;黄隶凡
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 装置
【说明书】:

一种集成电路装置包括衬底、栅极结构、间隔件结构、源极/漏极区及第一接触件结构。所述衬底包括鳍型有源区。所述栅极结构与衬底上的鳍型有源区交叉,且具有两侧及两个侧壁。所述间隔件结构设置在栅极结构的两个侧壁上,且包括第一间隔件层及第二间隔件层,第一间隔件层与栅极结构的两个侧壁的至少一部分接触,第二间隔件层设置在第一间隔件层上且具有比第一间隔件层的介电常数低的介电常数。所述源极/漏极区设置在栅极结构的两侧。所述第一接触件结构电连接到源极/漏极区且包括设置在源极/漏极区上的第一接触塞以及设置在第一接触塞上的第一金属顶盖层。

[相关申请的交叉参考]

专利申请主张在2017年8月1日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0097818号的优先权,所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。

技术领域

本公开涉及一种集成电路装置。更具体来说,本公开涉及一种包括鳍型有源区的集成电路装置。

背景技术

随着电子产品变得越来越轻且越来越简单,对集成电路装置的高集成度的需要已增加。集成电路装置的尺寸缩减会造成晶体管的短沟道效应(short channel effect),此会使集成电路装置的可靠性降低。短沟道效应基于晶体管元件的尺寸参数(例如,沟道长度以及源极及漏极结的耗尽层的宽度)而出现。为减小短沟道效应,已提出一种包括鳍型有源区的集成电路装置。然而,随着设计规则缩小,为鳍型有源区提供电连接的接触件结构的尺寸也减小。

发明内容

本公开阐述及提供了一种包括接触件结构的集成电路装置,所述接触件结构在尺寸减小的同时提供可靠的电连接。

根据本公开的一方面,一种集成电路装置包括衬底、栅极结构、间隔件结构、源极/漏极区及第一接触件结构。所述衬底包括鳍型有源区。所述栅极结构与所述衬底上的所述鳍型有源区交叉,且具有两侧及两个侧壁。所述间隔件结构设置在所述栅极结构的两个侧壁上。所述间隔件结构包括第一间隔件层及第二间隔件层。所述第一间隔件层与所述栅极结构的所述两个侧壁的至少一部分接触。所述第二间隔件层设置在所述第一间隔件层上且具有比所述第一间隔件层的介电常数低的介电常数。源极/漏极区设置在所述栅极结构的两侧。所述第一接触件结构电连接到所述源极/漏极区。所述第一接触件结构包括第一接触塞及第一金属顶盖层。所述第一接触塞设置在所述源极/漏极区上。所述第一金属顶盖层设置在所述第一接触塞上。

根据本公开的另一方面,一种集成电路装置包括衬底、栅极结构、间隔件结构、源极/漏极区及第一接触件结构。所述衬底包括鳍型有源区。所述栅极结构与所述衬底上的所述鳍型有源区交叉,且具有两侧及两个侧壁。所述间隔件结构设置在所述栅极结构的两个侧壁上且包含低介电常数材料。源极/漏极区设置在所述栅极结构的两侧。所述第一接触件结构电连接到所述源极/漏极区。所述第一接触件结构包括设置在所述源极/漏极区上的第一接触塞以及设置在所述第一接触塞上的第一金属顶盖层。所述间隔件结构的上表面处于与所述第一金属顶盖层的上表面的水平高度相同的水平高度处。

根据本公开的另一方面,一种集成电路装置包括衬底、栅极结构、间隔件结构、源极/漏极区、第一接触件结构及第二接触件结构。所述衬底包括鳍型有源区。所述栅极结构与所述衬底上的所述鳍型有源区交叉,且具有两侧及两个侧壁。所述间隔件结构设置在所述栅极结构的两个侧壁上且包含低介电常数材料。源极/漏极区设置在所述栅极结构的两侧。所述第一接触件结构电连接到所述源极/漏极区。所述第一接触件结构包括设置在所述源极/漏极区上的第一接触塞以及设置在所述第一接触塞上的第一金属顶盖层。所述第二接触件结构电连接到所述栅极结构。所述第二接触件结构包括设置在所述栅极结构上的第二接触塞以及设置在所述第二接触塞上的第二金属顶盖层。

附图说明

通过结合附图阅读以下详细说明,将更清楚地理解本公开的实施例,在附图中:

图1示出根据示例性实施例的集成电路装置的布局图。

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