[发明专利]集成电路装置

权利要求书

1.一种集成电路装置，其特征在于，包括：

衬底，包括鳍型有源区；

栅极结构，与所述衬底上的所述鳍型有源区交叉，且具有两侧及两个侧壁；

间隔件结构，设置在所述栅极结构的所述两个侧壁上，所述间隔件结构包括：

第一间隔件层，与所述栅极结构的所述两个侧壁的至少一部分接触；以及

第二间隔件层，设置在所述第一间隔件层上且具有比所述第一间隔件层的介电常数低的介电常数；

源极/漏极区，设置在所述栅极结构的所述两侧；以及

第一接触件结构，电连接到所述源极/漏极区，所述第一接触件结构包括：

第一接触塞，设置在所述源极/漏极区上；以及

第一金属顶盖层，设置在所述第一接触塞上，

其中所述第一金属顶盖层的上表面与所述间隔件结构的上表面齐平。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述第一接触件结构与所述间隔件结构的侧壁接触。

3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述第一接触塞的上表面处于比所述间隔件结构的所述上表面的水平高度低的水平高度处，且所述第一间隔件层环绕所述第一金属顶盖层的侧壁。

4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述第一接触塞包含第一金属，且所述第一金属顶盖层包含与所述第一金属不同的第二金属，以及

所述第一金属顶盖层完全覆盖所述第一接触塞的上表面。

5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述第二间隔件层包括空气空间，

所述第一间隔件层环绕所述栅极结构的上侧壁及所述第一接触件结构的上侧壁，且

所述空气空间是由所述栅极结构的下侧壁及所述第一接触件结构的下侧壁界定。

6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述第二间隔件层包括空气空间，

所述第一间隔件层沿所述栅极结构的所述两个侧壁共形地延伸，以及

所述空气空间设置在所述第一间隔件层与所述第一接触塞的侧壁的至少一部分之间。

7.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述第二间隔件层包含SiO_xC_yN_z、SiC_xO_yH_z或SiC_xN_y或介电常数小于3.9的绝缘材料。

8.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述第一金属顶盖层的侧表面在至少一个方向上突出至超出所述第一接触塞的侧表面，以及

所述第一间隔件层在所述第一间隔件层与所述第一金属顶盖层在至少一个维度上交叠的位置处设置在所述第一接触塞的所述侧表面上。

9.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，还包括：

第二接触件结构，电连接到所述栅极结构，所述第二接触件结构包括：

第二接触塞，设置在所述栅极结构上；以及

第二金属顶盖层，设置在所述第二接触塞上。

10.根据权利要求9所述的集成电路装置，其特征在于，所述第二金属顶盖层的上表面与所述第一金属顶盖层的所述上表面齐平。