[发明专利]基板处理方法、基板处理装置及基板处理系统有效
| 申请号: | 201810253976.8 | 申请日: | 2018-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN108705383B | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
| 发明(设计)人: | 渡边敏史;山本晓;町田优 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00;B24B21/00;B24B21/18;B24B49/12;B08B3/02 |
| 代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 张丽颖 |
| 地址: | 日本东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 方法 装置 系统 | ||
本发明提供基板处理方法、基板处理装置及基板处理系统,能够在研磨基板的周缘部后清洗基板的周缘部,并确认该清洗效果,另外能够清洗以往不太能够清洗到的区域即基板的周缘部。基板保持部(2)保持基板(W)并使其旋转,通过第一头(3A、3B)将具有磨粒的研磨带(PT)按压于基板(W)的周缘部而研磨基板(W)的周缘部,通过清洗喷嘴(53)向研磨后的基板(W)的周缘部供给清洗液而清洗基板(W)的周缘部,通过第二头(3D)使不具有磨粒的带(T)与清洗后的基板(W)的周缘部接触,通过传感器(70)对与基板(W)的周缘部接触后的带(T)照射光并接收来自带(T)的反射光,在接收的反射光的强度低于规定值的情况下判定为基板(W)的周缘部被污染。
技术领域
本发明涉及对半导体晶片等基板的周缘部进行研磨,并对研磨后的基板的周缘部进行清洗的基板处理方法及装置。
背景技术
从半导体器件的制造中的成品率提高的观点来看,近年来注目于基板的表面状态的管理。在半导体器件的制造工序中,各种各样的材料成膜于硅晶片上。因此,在基板的周缘部形成不需要的膜、表面粗糙。近年来,一般的方法是通过臂仅对基板的周缘部进行保持来输送基板。在这样的背景下,残存于周缘部的不需要的膜在经过各种各样的工序期间剥离而附着在形成于基板的器件,使成品率下降。因此,为了去除形成于基板的周缘部的不需要的膜,使用研磨装置对基板的周缘部进行研磨。
作为这样的研磨装置,已知具备使用研磨带来对基板的周缘部进行研磨的斜面研磨组件的装置(例如参照专利文献1)。研磨装置具备:保持基板并使基板旋转的基板保持部;具有支承研磨带的多个引导辊的带供给回收机构;以及具有按压部件的研磨头,该按压部件将从带供给回收机构供给的研磨带按压于基板的周缘部。带供给回收机构还具有供给带盘和回收带盘,支承于多个引导辊的研磨带通过带进给机构而从供给带盘经由研磨头送至回收带盘。将通过带进给机构从供给带盘经由研磨头以规定的进给速度送至回收带盘的研磨带通过研磨头的按压部件被按压于旋转的基板的周缘部,从而对基板的周缘部进行研磨。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-213849号公报
专利文献2:日本特开2013-4825号公报
发明要解决的课题
在由斜面研磨组件研磨后的基板附着研磨屑等粒子。若在以往,将基板从斜面研磨组件输送至清洗单元,在清洗单元内对所有的该粒子进行清洗、冲洗。
另外,在以往,考虑到成本效益,将昂贵的检查装置共同设置于斜面研磨装置内不现实,因此,通过位于研磨装置之外的粒子计数器等来测量在基板的中央附近有无垃圾,从而判定基板是否处于干净的状态。
另一方面,近来,伴随元件的设计规则的细微化,在粒子计数器中也要求粒子的检测尺寸在45nm以下等,面向检测灵敏度的进一步提高的技术开发在进行中。然而,若提高检测灵敏度,则发现会产生检测到本来不需要检测的表面的LPD(Light Point Defect/光点缺陷)这一新课题(例如,参照日本特开2013-4825号公报)。因此,尽管细微化的要求提高,但在将粒子计数器用于基板研磨装置的情况下,在上述制约下,造成使用无法充分确认基板周缘部有无污垢的精度的装置,另外,若不使用特殊且昂贵的检查装置,则无法观察基板中心部。这样一来,即使是使用一直使用的粒子计数器而应判定为清洁的基板,位于基板周缘部的PID(Process Induced Defect/工艺诱导缺陷)、附着粒子等异物由于某种契机而会移动到基板的器件面。并且,在这样的情况下,有对器件面造成坏影响的担忧,但对此没有采取对策。
因此,要求如下技术:在对基板的周缘部进行研磨后对基板的周缘部进行清洗,并且立刻能够确认该清洗效果,进一步根据需要而再次清洗。
另外,所有的处理结束,使基板回到FOUP之前、在将基板搬出到装置外之后,若在基板上发现污垢,则需要再次清洗,因此产生基于该再次清洗而造成的时间损失、耗费工夫。
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