[发明专利]一种曝光方法、曝光机、半导体器件及其制造方法

说明书

本发明公开了一种曝光方法、曝光机、半导体器件及其制造方法。此曝光方法包括：提供一基底；在所述基底的表面形成光刻胶层；获取对所述光刻胶层进行曝光的第一离焦量；在所述第一离焦量下曝光所述光刻胶层，以在显影后形成具有第一侧壁角的光刻胶。本发明的技术方案，通过离焦曝光在光刻胶层形成较为平坦的斜坡结构，避免了正常曝光时执行的高温烘烤的工艺，实现了低温下平坦的斜坡结构的制作，解决了正常曝光的高温烘烤工艺无法应用于高温敏感半导体器件制作的问题。

技术领域

本发明实施例涉及显示面板制造技术领域，尤其涉及一种曝光方法、曝光机、半导体器件及其制造方法。

背景技术

在显示面板制造和半导体器件制造的集成电路封装工艺中往往需要使用较为平坦的斜坡结构来进行工艺制作，平坦的斜坡结构对于光刻后的引线工艺是不可或缺的。

通常，选用聚酰亚胺类光刻胶进行较平坦的斜坡结构的制作，其流程一般为：聚酰亚胺类光刻胶材料先经过曝光显影，再经过高温烘烤，后固化得到较为平坦的斜坡结构。然而，聚酰亚胺类光刻胶的高温固化温度通常在300℃左右，对于某些无法耐受高温烘烤的特殊器件，采用上述方法制作斜坡结构会导致器件损坏。

发明内容

本发明提供一种曝光方法、曝光机、半导体器件及其制造方法，通过较低温度烘烤、离焦曝光，实现平坦的斜坡结构的制作。

第一方面，本发明实施例提出一种曝光方法，该曝光方法包括：

提供一基底；

在所述基底的表面形成光刻胶层；

获取对所述光刻胶层进行曝光的第一离焦量；

在所述第一离焦量下曝光所述光刻胶层，以在显影后形成具有第一侧壁角的光刻胶。

进一步地，所述获取对所述光刻胶层进行曝光的第一离焦量包括：

根据曝光时所使用物镜的数值孔径，获取第一离焦量。

进一步地，所述根据曝光时所使用物镜的根据数值孔径，获取第一离焦量包括：

根据如下公式获取第一离焦量：DF1：DF2＝(NA2/NA1)*(NA2/NA1)；

其中，NA1为曝光时所使用物镜的数值孔径，NA2为参考物镜的数值孔径；DF1为第一离焦量，DF2为参考物镜的离焦量。

进一步地，所述在所述第一离焦量下曝光所述光刻胶层之前还包括：

获取离焦烘烤温度，在所述离焦烘烤温度下烘烤所述光刻胶层。

进一步地，获取离焦烘烤温度，包括：

设定第一烘烤温度；

在所述第一烘烤温度下烘烤所述光刻胶层；

在所述第一离焦量下曝光所述光刻胶层，以在显影后形成具有第一侧壁角的光刻胶；

根据所述第一侧壁角、所述第一离焦量及预设离焦量与预设侧壁角的关系式，获取关系系数；

根据所述预设离焦量与预设侧壁角的关系式以及所述关系系数，判断目标侧壁角对应的目标离焦量是否位于参考离焦量范围内；

若是，所述第一烘烤温度为所述离焦烘烤温度；

若否，设定第二烘烤温度，依次重复执行上述烘烤至判断的过程，直至得到所述离焦烘烤温度。

进一步地，所述预设离焦量与预设侧壁角的关系式为：SWA＝k*DF+90；

其中，SWA为预设侧壁角，k为关系系数，DF为预设离焦量。

进一步地，所述目标侧壁角的取值范围为45°-60°。