[发明专利]一种曝光方法、曝光机、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810252632.5 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110361937B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 樊春华 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/16;G03F7/038 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 曝光 方法 半导体器件 及其 制造 | ||
1.一种曝光方法，其特征在于，包括：
提供一基底；
在所述基底的表面形成光刻胶层；
获取对所述光刻胶层进行曝光的第一离焦量；
获取离焦烘烤温度，在所述离焦烘烤温度下烘烤所述光刻胶层；
在所述第一离焦量下曝光所述光刻胶层，以在显影后形成具有第一侧壁角的光刻胶；
其中，获取离焦烘烤温度，包括：
设定第一烘烤温度；
在所述第一烘烤温度下烘烤所述光刻胶层；
在所述第一离焦量下曝光所述光刻胶层，以在显影后形成具有第一侧壁角的光刻胶；
根据所述第一侧壁角、所述第一离焦量及预设离焦量与预设侧壁角的关系式，获取关系系数；
根据所述预设离焦量与预设侧壁角的关系式以及所述关系系数，判断目标侧壁角对应的目标离焦量是否位于参考离焦量范围内；
若是，所述第一烘烤温度为所述离焦烘烤温度；
若否，设定第二烘烤温度；
依次重复执行上述烘烤至判断的过程，直至得到所述离焦烘烤温度；
所述获取对所述光刻胶层进行曝光的第一离焦量包括：
根据曝光时所使用物镜的数值孔径，获取第一离焦量；
所述根据曝光时所使用物镜的数值孔径，获取第一离焦量包括：
根据如下公式获取第一离焦量：DF1：DF2＝(NA2/NA1)*(NA2/NA1)；
其中，NA1为曝光时所使用物镜的数值孔径，NA2为参考物镜的数值孔径；DF1为第一离焦量，DF2为参考物镜的离焦量；
所述预设离焦量与预设侧壁角的关系式为：SWA＝k*DF+E；
其中，SWA为预设侧壁角，k为关系系数，DF为预设离焦量，E为一个常量。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标侧壁角的取值范围为45°-60°。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一烘烤温度比最佳烘烤温度高第三温度；所述第二烘烤温度比最佳烘烤温度高第四温度；其中，最佳烘烤温度为所述光刻胶分辨率最高时对应的温度。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第三温度的取值范围为15℃-25℃；所述第四温度的取值范围为15℃-25℃。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述光刻胶层的胶材包括丙烯酸树脂类负性光刻胶。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一烘烤温度的取值范围为130℃-140℃；所述第二烘烤温度的取值范围为130℃-140℃。
7.一种曝光机，其特征在于，所述曝光机用于执行权利要求1-6任一项所述的曝光方法。
8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，使用权利要求1-6任一项所述的曝光方法对所述半导体器件上的光刻胶层进行曝光；以及对曝光后的所述半导体器件上的光刻胶层进行显影。
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