[发明专利]用于操作存储器装置的方法

说明书

本发明涉及具有直接耦合到本体区域的源极线的存储器装置。本发明展示存储器装置、存储器单元串及操作存储器装置的方法。所描述的配置包含将细长本体区域直接耦合到源极线。所展示的配置及方法应提供可靠偏压给本体区域以实现存储器操作，如擦除。

分案申请的相关信息

本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2012年01月19日、申请号为201280006100.4、发明名称为“具有直接耦合到本体区域的源极线的存储器装置”的发明专利申请案。

优先申请案

本申请案主张2011年1月21日申请的第13/011,223号美国申请案的优先权权益，所述申请案以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明是关于一种具有直接耦合到本体区域的源极线的存储器装置。

背景技术

提供具有较高存储器容量的较小装置始终需要较高存储器密度。在半导体芯片的表面上横向形成存储器装置使用大量芯片面积。改进式存储器装置需要新配置来进一步增加存储器密度使之超出传统横向形成的存储器装置。

发明内容

在一个实例中，一种存储器装置包含细长本体区域，其具有耦合到第一端部的源极区域及耦合到第二端部的漏极区域。所述存储器装置包含多个栅极，其沿着所述细长本体区域的长度，所述多个栅极的各者是通过至少一电荷存储结构而与所述细长本体区域分离；以及源极线，其直接耦合到所述本体区域。

在另一实例中，一种存储器装置包含p型细长本体区域，其具有耦合到第一端部的n型源极区域及耦合到第二端部的n型漏极区域。所述存储器装置包含多个栅极，其沿着所述p型细长本体区域的长度，所述多个栅极的各者是通过至少一相应电荷存储结构而与所述p型本体区域分离。所述存储器装置包含第一选择栅极，其与所述本体区域的第一端部相邻；以及第二选择栅极，其与所述本体区域的第二端部相邻。所述存储器装置包含源极线，其在所述本体区域的端部处直接耦合到所述p型细长本体区域，其中所述n型源极区域实质上围绕所述p型细长本体区域的端部的截面且还耦合到所述源极线。

在另一实例中，一种存储器装置包含U形存储器单元串。所述U形存储器单元串包含细长本体区域，其具有第一面向上的端部及第二面向上的端部。所述U形存储器单元串包含漏极区域，其耦合到所述第一面向上的端部；源极区域，其耦合到所述第二面向上的端部；以及多个栅极，其沿着所述细长本体区域的长度。所述存储器装置包含数据线，其耦合到所述漏极区域；以及源极线，其直接耦合到所述细长本体区域的所述第二面向上的端部并耦合到所述源极区域。

在另一实例中，一种用于擦除存储器单元串的方法包含：将多个栅极加偏压到第一电压；以及将源极线加偏压到第二电压，其中所述源极线是直接耦合到所述串的细长本体区域，所述第二电压不同于所述第一电压。

在另一实例中，一种用于编程存储器单元串的方法包含：将多个栅极加偏压到第一电压；将用于编程的选定栅极加偏压到第二电压；以及将源极线加偏压到第三电压，其中所述源极线是直接耦合到所述串的细长本体区域，所述第二电压不同于所述第一电压。

附图说明

图1展示根据本发明的实施例的存储器装置。

图1A展示根据本发明的实施例的沿着来自图1的线1A-1A的截面。

图1B展示根据本发明的实施例的沿着来自图1的线1B-1B的截面。

图2A展示根据本发明的实施例的擦除操作期间的存储器装置。

图2B展示根据本发明的实施例的擦除操作期间来自图2A的存储器装置的一部分的框图。

图3展示根据本发明的实施例的编程操作期间的存储器装置。