[发明专利]用于操作存储器装置的方法

权利要求书

1.一种用于擦除存储器单元串的方法，其包括：

将多个栅极加偏压到选定电压，所述多个栅极沿着p型细长本体区域的长度而分布，所述多个栅极的各者是通过所述p型细长本体区域周围的至少一相应电荷存储结构而与所述p型细长本体区域分离；以及

将源极线加偏压到擦除电压，其中所述源极线直接耦合到所述存储器单元串的所述p型细长本体区域，所述擦除电压不同于所述选定电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将多个栅极加偏压到所述选定电压包括将多个栅极加偏压到大约零伏特。

3.根据权利要求1所述的方法，其中将源极线电压加偏压到所述擦除电压包括将源极线电压加偏压到大约二十伏特。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括浮动数据线，其中所述数据线耦合到大约20伏特。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括浮动所述串的选择栅极。

6.一种用于编程存储器单元串的方法，其包括：

将多个栅极的未选定栅极加偏压到禁止电压，所述多个栅极沿着p型细长本体区域的长度而分布，所述多个栅极的各者是通过所述p型细长本体区域周围的至少一相应电荷存储结构而与所述p型细长本体区域分离；

将所述多个栅极的选定栅极加偏压到编程电压；

将源极线加偏压到编程启用电压，其中所述源极线直接耦合到所述存储器单元串的所述p型细长本体区域，所述编程电压不同于所述禁止电压。

7.根据权利要求6所述的方法，其中将源极线加偏压到所述编程启用电压包括将源极线加偏压到大约零伏特。

8.根据权利要求6所述的方法，其中将所述选定栅极加偏压包括加偏压到大约二十伏特。

9.根据权利要求6所述的方法，其中将所述多个栅极加偏压到所述禁止电压包括加偏压到大约十伏特。

10.一种操作存储器装置的方法，所述方法包括：

将数据线加偏压到第一编程启用电压，其中所述数据线经耦合到存储器单元的第一串的第一端以及存储器单元的第二串的第一端；

将源极线加偏压到大体上与所述第一编程启用电压相同的第二编程启用电压，其中所述源极线经耦合到存储器单元的所述第一串的第二端以及存储器单元的所述第二串的第二端；

将耦合到存储器单元的所述第二串的所述第一端与所述数据线之间的漏极选择栅极加偏压到约零伏特；以及

将存储器单元的所述第一串的选定栅极加偏压到编程电压。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括将第二漏极选择栅极加偏压到约2伏特，其中所述第二漏极选择栅极经耦合到存储器单元的所述第一串的所述第一端与所述数据线之间。

12.根据权利要求11所述的方法，其中将所述数据线加偏压到所述第一编程启用电压包括将所述数据线加偏压约零伏特。

13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括将所述第三源极选择栅极和第四源极选择栅极加偏压到相应编程启用电压，其中所述第三选择栅极经耦合到存储器单元的所述第二串的所述第二端与所述源极之间，其中所述第四选择栅极经耦合到存储器单元的所述第一串的所述第二端与所述源极之间。

14.根据权利要求12所述的方法，进一步包括将存储器单元的所述第一串的未选定栅极加偏压到禁止电压。