[发明专利]一种利用聚多曲霉菌联合印度芥菜修复镉污染土壤的方法

权利要求书

1.一种利用聚多曲霉菌联合印度芥菜修复镉污染土壤的方法，其特征在于，包含如下步骤：

步骤1：在镉污染土壤中种植印度芥菜；

步骤2：在印度芥菜根系接种耐镉微生物；

步骤3：在一批印度芥菜生长成熟后重复步骤1、2的操作，直至土壤中的镉含量低于0.2mg/kg；

所述耐镉微生物为聚多曲霉菌(Aspergillus sydowii)；所述聚多曲霉菌(Aspergillus sydowii)于2018年02月05号保藏于中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心，地址为北京市朝阳区北辰西路1号院3号，保藏编号为CGMCC No.15385。

2.如权利要求1所述的一种利用聚多曲霉菌联合印度芥菜修复镉污染土壤的方法，其特征在于，将所述印度芥菜种植在镉污染土壤中，控制土壤含水率保持在55-65％。

3.如权利要求2所述的一种利用聚多曲霉菌联合印度芥菜修复镉污染土壤的方法，其特征在于，将所述印度芥菜种植在镉污染土壤中，种植方式为露天栽培。

4.如权利要求1所述的一种利用聚多曲霉菌联合印度芥菜修复镉污染土壤的方法，其特征在于，所述接种为在印度芥菜根系接种密度不低于1×10⁶CFU/g的聚多曲霉菌。

5.如权利要求2所述的一种利用聚多曲霉菌联合印度芥菜修复镉污染土壤的方法，其特征在于，所述接种为在印度芥菜根系接种密度不低于1×10⁶CFU/g的聚多曲霉菌。

6.如权利要求3所述的一种利用聚多曲霉菌联合印度芥菜修复镉污染土壤的方法，其特征在于，所述接种为在印度芥菜根系接种密度不低于1×10⁶CFU/g的聚多曲霉菌。

7.如权利要求1所述的一种利用聚多曲霉菌联合印度芥菜修复镉污染土壤的方法，其特征在于，所述接种为将聚多曲霉菌菌种制备成浓度为1-4×10⁸CFU/mL的菌悬液，分别在印度芥菜播种前和出苗后的第2、4、6周喷洒菌悬液。

8.如权利要求2所述的一种利用聚多曲霉菌联合印度芥菜修复镉污染土壤的方法，其特征在于，所述接种为将聚多曲霉菌菌种制备成浓度为1-4×10⁸CFU/mL的菌悬液，分别在印度芥菜播种前和出苗后的第2、4、6周喷洒菌悬液。

9.如权利要求3所述的一种利用聚多曲霉菌联合印度芥菜修复镉污染土壤的方法，其特征在于，所述接种为将聚多曲霉菌菌种制备成浓度为1-4×10⁸CFU/mL的菌悬液，分别在印度芥菜播种前和出苗后的第2、4、6周喷洒菌悬液。

10.如权利要求4所述的一种利用聚多曲霉菌联合印度芥菜修复镉污染土壤的方法，其特征在于，所述接种为将聚多曲霉菌菌种制备成浓度为1-4×10⁸CFU/mL的菌悬液，分别在印度芥菜播种前和出苗后的第2、4、6周喷洒菌悬液。

11.如权利要求5所述的一种利用聚多曲霉菌联合印度芥菜修复镉污染土壤的方法，其特征在于，所述接种为将聚多曲霉菌菌种制备成浓度为1-4×10⁸CFU/mL的菌悬液，分别在印度芥菜播种前和出苗后的第2、4、6周喷洒菌悬液。

12.如权利要求6所述的一种利用聚多曲霉菌联合印度芥菜修复镉污染土壤的方法，其特征在于，所述接种为将聚多曲霉菌菌种制备成浓度为1-4×10⁸CFU/mL的菌悬液，分别在印度芥菜播种前和出苗后的第2、4、6周喷洒菌悬液。