[发明专利]显示面板、阵列基板、薄膜晶体管及其制造方法

说明书

本公开提供一种显示面板、阵列基板、薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法，涉及显示技术领域。本公开的薄膜晶体管的制造方法包括：在一衬底基板上形成栅极；在栅极上形成栅介质层；在栅介质层上形成氧化物有源层；在氧化物有源层上形成源漏极层；在源漏极层和氧化物有源层上形成钝化层；其中，栅介质层和钝化层中至少一个包括金属氧化物层和绝缘层，且金属氧化物层与氧化物有源层直接接触。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板、阵列基板、薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)是一种绝缘栅场效应晶体管，通常应用于液晶显示等领域，以液晶面板为例，现有的液晶面板一般包括阵列基板、彩膜基板等，薄膜晶体管是阵列基板中必不可少的控制器件。现有薄膜晶体管通常包括栅极、栅介质层、氧化物有源层、源漏极层和钝化层，源漏极层包括源极和漏极，其中，氧化物有源层的材料通常为IGZO(铟镓锌氧化物)等氧化物，栅介质层和钝化层通常为硅的氧化物或氮化物形成单膜层结构。

但是，现有栅介质层和钝化层的介电常数较低，膜质较为疏松，容易形成较多的缺陷，与IGZO等氧化物直接接触时，会大大降低电子迁移率，且对于H⁺、Na⁺等离子扩散阻挡作用较弱，导致电学不稳定性升高。同时，在采用等离子体增强化学的气相沉积法制备栅介质层和钝化层时，氧原子在高温等离子环境下容易脱出，使氧空位增多，导致膜质导体化严重，使薄膜晶体管发生阈值电压漂移或者开启电流变小、漏电流变大等导致电学特性和稳定性变差的现象。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种显示面板、阵列基板、薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法，能够提高薄膜晶体管的电学特性和稳定性。

根据本公开的一个方面，一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

在一衬底基板上形成栅极；

在所述栅极上形成栅介质层；

在所述栅介质层上形成氧化物有源层；

在所述氧化物有源层上形成源漏极层；

在所述源漏极层和所述氧化物有源层上形成钝化层；

其中，所述栅介质层和所述钝化层中至少一个包括金属氧化物层和绝缘层，且所述金属氧化物层与所述氧化物有源层直接接触。

在本公开的一种示例性实施例中，形成所述栅介质层包括：

在所述栅极上形成第一子介质层，所述第一子介质层为所述绝缘层；

在所述第一子介质层上形成第二子介质层，所述第二子介质层为所述金属氧化物层。

在本公开的一种示例性实施例中，形成所述钝化层包括：

在所述氧化物有源层和所述源漏极层上形成第一子钝化层，所述第一子钝化层为所述金属氧化物层；

在所述第一子钝化层上形成第二子钝化层，所述第二子钝化层为所述绝缘层。

在本公开的一种示例性实施例中，所述金属氧化物层的材料为铝、钛、钇、锆和铪的氧化物其中之一。

在本公开的一种示例性实施例中，所述金属氧化物层通过溅射工艺形成。

根据本公开的一个方面，提供一种薄膜晶体管，包括：

栅极；

栅介质层，设于所述栅极上；

氧化物有源层，设于所述栅介质层上；